吉林师范大学学报（自然科学版）
吉林師範大學學報（自然科學版）
길림사범대학학보（자연과학판）
JILIN NORMAL UNIVERSITY JOURNAL（NATURAL SCIENCE EDITION）
2013年
4期
126-128
,共3页
张刚%郭金昌%田晓萃%常喜%高永慧%姜文龙
張剛%郭金昌%田曉萃%常喜%高永慧%薑文龍
장강%곽금창%전효췌%상희%고영혜%강문룡
电流密度%效率%亮度%荧光湮灭
電流密度%效率%亮度%熒光湮滅
전류밀도%효솔%량도%형광인멸
制备了结构为ITO/NPB(40 nm)/DPAVBi(xnm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的蓝绿色OLED器件.通过改变DPAVBi的厚度,研究其对器件性能的影响.当DPAVBi层厚度为20 nm时,器件的性能较好.在电流密度为38.79 mA/cm2时,效率为3.32 cd/A;在电压为21 V时,亮度为8 296 cd/m2.而且,随着电流密度的增加,四个器件的效率曲线变化非常平缓,说明器件的电流荧光湮没性较弱.当驱动电压从10 V增加到21 V时,器件的色坐标从(0.27,0.48)变化到(0.25,0.45),始终处于蓝绿光范围内,色度变化很小.
製備瞭結構為ITO/NPB(40 nm)/DPAVBi(xnm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的藍綠色OLED器件.通過改變DPAVBi的厚度,研究其對器件性能的影響.噹DPAVBi層厚度為20 nm時,器件的性能較好.在電流密度為38.79 mA/cm2時,效率為3.32 cd/A;在電壓為21 V時,亮度為8 296 cd/m2.而且,隨著電流密度的增加,四箇器件的效率麯線變化非常平緩,說明器件的電流熒光湮沒性較弱.噹驅動電壓從10 V增加到21 V時,器件的色坐標從(0.27,0.48)變化到(0.25,0.45),始終處于藍綠光範圍內,色度變化很小.
제비료결구위ITO/NPB(40 nm)/DPAVBi(xnm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al적람록색OLED기건.통과개변DPAVBi적후도,연구기대기건성능적영향.당DPAVBi층후도위20 nm시,기건적성능교호.재전류밀도위38.79 mA/cm2시,효솔위3.32 cd/A;재전압위21 V시,량도위8 296 cd/m2.이차,수착전류밀도적증가,사개기건적효솔곡선변화비상평완,설명기건적전류형광인몰성교약.당구동전압종10 V증가도21 V시,기건적색좌표종(0.27,0.48)변화도(0.25,0.45),시종처우람록광범위내,색도변화흔소.
