陕西理工学院学报（自然科学版）
陝西理工學院學報（自然科學版）
협서리공학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHAANXI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY （NATURAL SCIENCE EDITION）
2013年
6期
31-34,48
,共5页
娄本浊%孙彦清%黄朝军%龙姝明%赵升频
婁本濁%孫彥清%黃朝軍%龍姝明%趙升頻
루본탁%손언청%황조군%룡주명%조승빈
调制光谱%半导体%氮化镓%光学特性%跃迁信号
調製光譜%半導體%氮化鎵%光學特性%躍遷信號
조제광보%반도체%담화가%광학특성%약천신호
modulation spectroscopy%semiconductor%GaN%optical property%transition signal
利用调制光谱技术研究了以分子束磊晶法成长于GaAs基板上的GaN薄膜的光学特性。结果表明，在PR、CER及PzR谱线中均可观察到激子跃迁信号E0与旋轨道分裂信号（ E0＋Δ0），且分裂量Δ0约为22 meV。在15～300 K的温度范围内均可观测到激子跃迁信号E0、自旋轨道分裂信号（ E0＋Δ0）及DA-Pair信号；但温度在400 K和500 K时谱线中只存在激子跃迁信号E0与DA-Pair信号，而观察不到信号（ E0＋Δ0）。随着温度的升高，样品的跃迁信号E0与自旋轨道分裂信号（ E0＋Δ0）逐渐向低能量反方向移动。
利用調製光譜技術研究瞭以分子束磊晶法成長于GaAs基闆上的GaN薄膜的光學特性。結果錶明，在PR、CER及PzR譜線中均可觀察到激子躍遷信號E0與鏇軌道分裂信號（ E0＋Δ0），且分裂量Δ0約為22 meV。在15～300 K的溫度範圍內均可觀測到激子躍遷信號E0、自鏇軌道分裂信號（ E0＋Δ0）及DA-Pair信號；但溫度在400 K和500 K時譜線中隻存在激子躍遷信號E0與DA-Pair信號，而觀察不到信號（ E0＋Δ0）。隨著溫度的升高，樣品的躍遷信號E0與自鏇軌道分裂信號（ E0＋Δ0）逐漸嚮低能量反方嚮移動。
이용조제광보기술연구료이분자속뢰정법성장우GaAs기판상적GaN박막적광학특성。결과표명，재PR、CER급PzR보선중균가관찰도격자약천신호E0여선궤도분렬신호（ E0＋Δ0），차분렬량Δ0약위22 meV。재15～300 K적온도범위내균가관측도격자약천신호E0、자선궤도분렬신호（ E0＋Δ0）급DA-Pair신호；단온도재400 K화500 K시보선중지존재격자약천신호E0여DA-Pair신호，이관찰불도신호（ E0＋Δ0）。수착온도적승고，양품적약천신호E0여자선궤도분렬신호（ E0＋Δ0）축점향저능량반방향이동。
GaN film growed on GaAs substrate by the molecular beam epitaxial growth had been studied by the modulation spectroscopy technique in this paper .Results show that the exciting transition signal E0 and spin-orbit splitting signal ( E0 +Δ0 ) can be observed in the PR , CER and PzR spectral lines and Δ0 is about 22 meV.The exciting transition signal E0 , spin orbit split signal ( E0 +Δ0 ) and DA-Pair signal can appear in the temperature range from 15 to 300 K.The signals of E0 and DA-Pair except ( E0 +Δ0 ) were observed at 400 K and 500 K.As the temperature increases , the transition signal E0 and spin orbit split signal ( E0 +Δ0 ) move to the low energy in the opposite direction .
