双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验
쌍겁집성전로저제량솔복사손상증강효응적고온복조가속실험
Accelerated test of enhanced low dose rate sensitivity using elevated temperature irradiation
  • 万方数据
    强激光与粒子束 강격광여입자속
    HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
    2014年 3期 214-218 ,共5页

    刘敏波%陈伟%姚志斌%黄绍艳%何宝平%盛江坤%肖志刚%王祖军

    류민파%진위%요지빈%황소염%하보평%성강곤%초지강%왕조군

    双极集成电路%低剂量率%高温辐照%界面态 雙極集成電路%低劑量率%高溫輻照%界麵態
    쌍겁집성전로%저제량솔%고온복조%계면태
    bipolar integrated circuit%low dose rate%elevated temperature irradiation%interface state
    选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律.实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低.
    선택료사충전형쌍겁집성전로,재량충불동제량솔하,개전료불동온도적고온복조가속실험,측량료전형쌍겁집성전로적복사민감삼수재불동고온복조하적변화규률.실험결과표명:고온복조능구급출공간저제량솔복사손상증강효응적보수고계,차존재최가복조온도,최가복조온도수총제량적증가향저온구표이,수제량솔적증대향고온구표이,재상동제량솔화총제량하,수입급위NPN정체관적쌍겁집성전로비수입급위PNP정체관적최가복조온도저.
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