北京工业大学学报
北京工業大學學報
북경공업대학학보
JOURNAL OF BEIJING POLYTECHNIC UNIVERSITY
2014年
5期
690-695
,共6页
赵彦晓%张万荣%谢红云%金冬月%丁春宝%郭振杰%高栋
趙彥曉%張萬榮%謝紅雲%金鼕月%丁春寶%郭振傑%高棟
조언효%장만영%사홍운%금동월%정춘보%곽진걸%고동
SiGe HBT%有源电感峰化技术%噪声抵消支路%宽带低噪声放大器%射频前端
SiGe HBT%有源電感峰化技術%譟聲牴消支路%寬帶低譟聲放大器%射頻前耑
SiGe HBT%유원전감봉화기술%조성저소지로%관대저조성방대기%사빈전단
SiGe HBT%active inductive peaking technology%noise cancellation branch%wideband low noise amplifier (WLNA)%radio frequency (RF) front-end
设计了一款无螺旋电感的1 ～6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105 μm×115 μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1～6 GHz频段内,S21＞16 dB,NF＜ 3.5 dB,S11＜-10 dB,S22＜-10dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.
設計瞭一款無螺鏇電感的1 ～6 GHz頻段的小麵積高性能SiGe HBT寬帶低譟聲放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).採用具有優良阻抗匹配特性的共基放大器作為輸入級,併採用譟聲牴消技術牴消其譟聲達到輸入譟聲匹配;共射放大器作為輸齣級,有源電感替代螺鏇電感實現電感峰化技術來擴展頻帶寬度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工藝,完成瞭版圖設計,WLNA的版圖呎吋僅為105 μm×115 μm,與使用螺鏇電感的WLNA相比,芯片麵積大大減小.利用安捷倫公司的射頻/微波集成電路倣真工具ADS進行瞭驗證.結果錶明:該WLNA在1～6 GHz頻段內,S21＞16 dB,NF＜ 3.5 dB,S11＜-10 dB,S22＜-10dB.對于設計應用于射頻前耑的小麵積、低成本、高性能的單片WLNA具有一定的指導意義.
설계료일관무라선전감적1 ～6 GHz빈단적소면적고성능SiGe HBT관대저조성방대기(wideband low noise amplifier,WLNA).채용구유우량조항필배특성적공기방대기작위수입급,병채용조성저소기술저소기조성체도수입조성필배;공사방대기작위수출급,유원전감체대라선전감실현전감봉화기술래확전빈대관도、제고증익적평탄도.기우Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS공예,완성료판도설계,WLNA적판도척촌부위105 μm×115 μm,여사용라선전감적WLNA상비,심편면적대대감소.이용안첩륜공사적사빈/미파집성전로방진공구ADS진행료험증.결과표명:해WLNA재1～6 GHz빈단내,S21＞16 dB,NF＜ 3.5 dB,S11＜-10 dB,S22＜-10dB.대우설계응용우사빈전단적소면적、저성본、고성능적단편WLNA구유일정적지도의의.
