发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
11期
1521-1526
,共6页
氮化镓%光衰减%电应力%退化机理
氮化鎵%光衰減%電應力%退化機理
담화가%광쇠감%전응력%퇴화궤리
GaN%optical degradation%electrical stresses%degradation mechanism
对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大～9％;而在较大测量电流(20 mA)下,两者的光衰减幅度基本相同(18％).同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心.在此基础上对GaN基外延结构进行了优化,优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3％.
對InGaN/GaN多量子阱藍光和綠光LED進行瞭室溫20,40,60 mA加速電流下的電應力老化研究,髮現藍光與綠光樣品經過60 mA電流老化424 h後,其電學性能錶現齣一定的共性與差異性:在小測量電流下,綠光樣品的光衰減幅度較藍光樣品大～9％;而在較大測量電流(20 mA)下,兩者的光衰減幅度基本相同(18％).同時,藍綠光樣品的正嚮電學性能隨老化時間的變化幅度基本一緻,反映齣它們具有相似的退化機製,綠光樣品老化後增多的缺陷大部分體現為簡單的漏電行為,而併非貢獻于非輻射複閤中心.在此基礎上對GaN基外延結構進行瞭優化,優化後的LED長期老化的光衰減幅度較參攷樣品降低瞭3％.
대InGaN/GaN다양자정람광화록광LED진행료실온20,40,60 mA가속전류하적전응력노화연구,발현람광여록광양품경과60 mA전류노화424 h후,기전학성능표현출일정적공성여차이성:재소측량전류하,록광양품적광쇠감폭도교람광양품대～9％;이재교대측량전류(20 mA)하,량자적광쇠감폭도기본상동(18％).동시,람록광양품적정향전학성능수노화시간적변화폭도기본일치,반영출타문구유상사적퇴화궤제,록광양품노화후증다적결함대부분체현위간단적루전행위,이병비공헌우비복사복합중심.재차기출상대GaN기외연결구진행료우화,우화후적LED장기노화적광쇠감폭도교삼고양품강저료3％.
