CAJ | 학술논문

ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究.本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019 cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级.在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关.通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱.由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关.
ZnO박막중적고적배경전자농도능구대p형참잡형성보상,종이대p형참잡조성장애,료해고배경전자농도적래원유조우대p형참잡적연구.본문채용분자속외연기술재불동진공도하재a면람보석츤저상생장료일계렬양화자박막,발현재저진공도하생장적양품적재류자농도교고,위1019 cm-3량급;이고진공도하생장적양품,기재류자농도비저진공생장적양품현저강저,강저료3개수량급.재상동조건하생장적양품,통과불동적후처리수단진행처리후,기전자농도미발생명현변화,설명양공위등본정결함불시ZnO박막중전자적주요래원,고배경전자농도응해여생장과정중비고의인입적잡질상관.통과저온광치발광표정,발현저진공도하생장적양품재저온하3.366 eV처유강적시주속박격자발광봉,이고진공도하생장적양품적차발광봉현저변약.유차,고전자농도피귀결위여생장과정중비고의인입적경잡질상관.