电机与控制学报
電機與控製學報
전궤여공제학보
ECTRIC MACHINES AND CONTROL
2014年
5期
62-68,75
,共8页
罗毅飞%刘宾礼%汪波%唐勇
囉毅飛%劉賓禮%汪波%唐勇
라의비%류빈례%왕파%당용
逆变器%绝缘栅双极型晶体管%死区时间%开通延时%关断时间%桥路直通
逆變器%絕緣柵雙極型晶體管%死區時間%開通延時%關斷時間%橋路直通
역변기%절연책쌍겁형정체관%사구시간%개통연시%관단시간%교로직통
inverter%insulated-gate bipolar transistor%dead-time%turn-on delay%turn-off time%bridge shoot through
为了研究逆变器中功率器件对死区时间设置的影响,依据半导体物理理论与死区时间的计算依据,研究了电压、电流、温度对绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)开关时间的影响机理,给出了这3个因素对IGBT开关时间的影响规律,并得到了这3个因素对死区时间的影响机理.通过对两电平半桥逆变单元测试表明:死区时间随电压的增大近似呈线性关系增大,随电流的增大近似呈指数和双曲线复合关系而减小,随温度的增大近似呈线性关系增大,且按照计算依据得到的死区时间与实测桥路直通的发生相符,验证了理论分析的正确性.得出的结论可为实际应用中逆变器等电能变化装置死区时间的设置以及死区补偿算法的优化提供重要的参考依据.
為瞭研究逆變器中功率器件對死區時間設置的影響,依據半導體物理理論與死區時間的計算依據,研究瞭電壓、電流、溫度對絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)開關時間的影響機理,給齣瞭這3箇因素對IGBT開關時間的影響規律,併得到瞭這3箇因素對死區時間的影響機理.通過對兩電平半橋逆變單元測試錶明:死區時間隨電壓的增大近似呈線性關繫增大,隨電流的增大近似呈指數和雙麯線複閤關繫而減小,隨溫度的增大近似呈線性關繫增大,且按照計算依據得到的死區時間與實測橋路直通的髮生相符,驗證瞭理論分析的正確性.得齣的結論可為實際應用中逆變器等電能變化裝置死區時間的設置以及死區補償算法的優化提供重要的參攷依據.
위료연구역변기중공솔기건대사구시간설치적영향,의거반도체물리이론여사구시간적계산의거,연구료전압、전류、온도대절연책쌍겁형정체관(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)개관시간적영향궤리,급출료저3개인소대IGBT개관시간적영향규률,병득도료저3개인소대사구시간적영향궤리.통과대량전평반교역변단원측시표명:사구시간수전압적증대근사정선성관계증대,수전류적증대근사정지수화쌍곡선복합관계이감소,수온도적증대근사정선성관계증대,차안조계산의거득도적사구시간여실측교로직통적발생상부,험증료이론분석적정학성.득출적결론가위실제응용중역변기등전능변화장치사구시간적설치이급사구보상산법적우화제공중요적삼고의거.
