桂林电子科技大学学报
桂林電子科技大學學報
계림전자과기대학학보
JOURNAL OF GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY
2013年
4期
339-344
,共6页
韦帅%胡朝浩%钟燕%陈冉%吕丰正%周怀营
韋帥%鬍朝浩%鐘燕%陳冉%呂豐正%週懷營
위수%호조호%종연%진염%려봉정%주부영
LiBiO3%第一性原理计算%Sb掺杂%光催化性能
LiBiO3%第一性原理計算%Sb摻雜%光催化性能
LiBiO3%제일성원리계산%Sb참잡%광최화성능
LiBiO3%first-principles calculation%Sb-doped%photocatalytic property
通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论(DFT)第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构进行研究,试图从理论角度探寻合适的光催化材料.计算结果表明,空间群为Pccn的正交LiBiO3为直接半导体,DFT计算带隙为0.23 eV,而采用HSE泛函形式的计算带隙为1.18 eV,较为接近实验测定值.随着Sb掺杂量的增加,LiBi1-xSbx O3的计算带隙逐渐加大,与纯LiBiO3相比,Sb掺杂体系中出现了具有更强键合作用的Sb-O键,有利于改善体系的光催化性能.
通過能帶結構、電子態密度、電子跼域化函數、Bader電荷等方麵的密度汎函理論(DFT)第一性原理計算,對摻雜瞭Sb的LiBiO3的電子結構進行研究,試圖從理論角度探尋閤適的光催化材料.計算結果錶明,空間群為Pccn的正交LiBiO3為直接半導體,DFT計算帶隙為0.23 eV,而採用HSE汎函形式的計算帶隙為1.18 eV,較為接近實驗測定值.隨著Sb摻雜量的增加,LiBi1-xSbx O3的計算帶隙逐漸加大,與純LiBiO3相比,Sb摻雜體繫中齣現瞭具有更彊鍵閤作用的Sb-O鍵,有利于改善體繫的光催化性能.
통과능대결구、전자태밀도、전자국역화함수、Bader전하등방면적밀도범함이론(DFT)제일성원리계산,대참잡료Sb적LiBiO3적전자결구진행연구,시도종이론각도탐심합괄적광최화재료.계산결과표명,공간군위Pccn적정교LiBiO3위직접반도체,DFT계산대극위0.23 eV,이채용HSE범함형식적계산대극위1.18 eV,교위접근실험측정치.수착Sb참잡량적증가,LiBi1-xSbx O3적계산대극축점가대,여순LiBiO3상비,Sb참잡체계중출현료구유경강건합작용적Sb-O건,유리우개선체계적광최화성능.
