人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
4期
1011-1014
,共4页
本征缺陷%第一性原理%形成能%4H-SiC
本徵缺陷%第一性原理%形成能%4H-SiC
본정결함%제일성원리%형성능%4H-SiC
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺陷Vc-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好.
採用平麵波展開和第一原理贗勢法對4H-SiC理想晶體及與Vsi有關的電中性微觀本徵缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞進行計算.結果髮現:0 K且忽略原子馳豫時,電中性本徵缺陷VC-C和Vsi的形成能相差為4.472eV,在此基礎上分析瞭亞穩定型本徵缺陷Vsi嚮穩定型本徵缺陷Vc-C轉化的理論依據及轉化方式,首先髮生轉移的是h晶格位置上的Si原子,與非故意摻雜4H-SiC外延材料在氙光激勵作用下的ESR結果吻閤較好.
채용평면파전개화제일원리안세법대4H-SiC이상정체급여Vsi유관적전중성미관본정결함(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)적초정포진행계산.결과발현:0 K차홀략원자치예시,전중성본정결함VC-C화Vsi적형성능상차위4.472eV,재차기출상분석료아은정형본정결함Vsi향은정형본정결함Vc-C전화적이론의거급전화방식,수선발생전이적시h정격위치상적Si원자,여비고의참잡4H-SiC외연재료재선광격려작용하적ESR결과문합교호.
