人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
4期
977-981
,共5页
张化福%类成新%刘汉法%袁长坤
張化福%類成新%劉漢法%袁長坤
장화복%류성신%류한법%원장곤
直流反应磁控溅射%ZnO∶ Zr薄膜%透明导电薄膜%沉积压强
直流反應磁控濺射%ZnO∶ Zr薄膜%透明導電薄膜%沉積壓彊
직류반응자공천사%ZnO∶ Zr박막%투명도전박막%침적압강
DC reactive magnetron sputtering%ZnO∶ Zr films%transparent conducting films%deposition pressure
以Zn∶ Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶ Zr透明导电薄薄膜.研究了沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.实验结果表明所制备的ZnO∶ Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大.当沉积压强为2Pa时,ZnO∶ Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω ·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2％和1.97.
以Zn∶ Zr為靶材,利用直流反應磁控濺射法製備瞭ZnO∶ Zr透明導電薄薄膜.研究瞭沉積壓彊對ZnO∶ Zr薄膜形貌、結構、光學及電學性能的影響.實驗結果錶明所製備的ZnO∶ Zr為六方纖鋅礦結構的多晶薄膜,具有垂直于襯底方嚮的c軸擇優取嚮.沉積壓彊對ZnO∶ Zr薄膜的晶化程度、形貌、生長速率和電阻率影響很大,而對其光學性能如透光率、光學帶隙及摺射率影響不大.噹沉積壓彊為2Pa時,ZnO∶ Zr薄膜的電阻率達到最小值2.0×10-3Ω ·cm,其可見光平均透過率和平均摺射率分彆為83.2％和1.97.
이Zn∶ Zr위파재,이용직류반응자공천사법제비료ZnO∶ Zr투명도전박박막.연구료침적압강대ZnO∶ Zr박막형모、결구、광학급전학성능적영향.실험결과표명소제비적ZnO∶ Zr위륙방섬자광결구적다정박막,구유수직우츤저방향적c축택우취향.침적압강대ZnO∶ Zr박막적정화정도、형모、생장속솔화전조솔영향흔대,이대기광학성능여투광솔、광학대극급절사솔영향불대.당침적압강위2Pa시,ZnO∶ Zr박막적전조솔체도최소치2.0×10-3Ω ·cm,기가견광평균투과솔화평균절사솔분별위83.2％화1.97.
