人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
4期
868-871
,共4页
于盛旺%刘艳青%唐伟忠%申艳艳%贺志勇%唐宾
于盛旺%劉豔青%唐偉忠%申豔豔%賀誌勇%唐賓
우성왕%류염청%당위충%신염염%하지용%당빈
金刚石膜%高功率MPCVD%工艺参数%择优取向
金剛石膜%高功率MPCVD%工藝參數%擇優取嚮
금강석막%고공솔MPCVD%공예삼수%택우취향
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜.使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究.实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响.在CH4浓度由0.5％上升到1.0％时,金刚石膜的择优取向由(220)转变为(111),由1.O％上升到2.5％时,则由(111)转变为(220)以及(311)；在700 ～ 1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜(111)择优取向生长的倾向增高,当沉积温度高于1050℃时,金刚石膜改变了原先的以(111)择优取向生长的趋势,变为了以(100)择优取向生长；在气体流速为200～1000 sccm范围内时,随气体流量的增加,金刚石膜(111)择优取向的倾向增加.当气体流量大于1000sccm时,金刚石膜(111)择优取向的倾向又稍有降低.
使用自行研製的橢毬諧振腔式MPCVD裝置,以H2-CH4為氣源、沉積功率8 kW條件下,在不同CH4濃度、沉積溫度和氣體流量工藝條件下製備瞭大麵積金剛石膜.使用X射線衍射儀對金剛石膜的擇優取嚮的變化規律進行瞭研究.實驗結果錶明,高功率條件下工藝參數對金剛石膜的擇優取嚮有不同程度的影響.在CH4濃度由0.5％上升到1.0％時,金剛石膜的擇優取嚮由(220)轉變為(111),由1.O％上升到2.5％時,則由(111)轉變為(220)以及(311)；在700 ～ 1050℃溫度範圍內,隨著沉積溫度的升高,金剛石膜(111)擇優取嚮生長的傾嚮增高,噹沉積溫度高于1050℃時,金剛石膜改變瞭原先的以(111)擇優取嚮生長的趨勢,變為瞭以(100)擇優取嚮生長；在氣體流速為200～1000 sccm範圍內時,隨氣體流量的增加,金剛石膜(111)擇優取嚮的傾嚮增加.噹氣體流量大于1000sccm時,金剛石膜(111)擇優取嚮的傾嚮又稍有降低.
사용자행연제적타구해진강식MPCVD장치,이H2-CH4위기원、침적공솔8 kW조건하,재불동CH4농도、침적온도화기체류량공예조건하제비료대면적금강석막.사용X사선연사의대금강석막적택우취향적변화규률진행료연구.실험결과표명,고공솔조건하공예삼수대금강석막적택우취향유불동정도적영향.재CH4농도유0.5％상승도1.0％시,금강석막적택우취향유(220)전변위(111),유1.O％상승도2.5％시,칙유(111)전변위(220)이급(311)；재700 ～ 1050℃온도범위내,수착침적온도적승고,금강석막(111)택우취향생장적경향증고,당침적온도고우1050℃시,금강석막개변료원선적이(111)택우취향생장적추세,변위료이(100)택우취향생장；재기체류속위200～1000 sccm범위내시,수기체류량적증가,금강석막(111)택우취향적경향증가.당기체류량대우1000sccm시,금강석막(111)택우취향적경향우초유강저.
