化学研究与应用
化學研究與應用
화학연구여응용
CHEMICAL RESEARCH AND APPLICATION
2012年
8期
1192-1196
,共5页
何晓英%魏胤%宋桃%杨雪娟%高渐龙
何曉英%魏胤%宋桃%楊雪娟%高漸龍
하효영%위윤%송도%양설연%고점룡
超氧化物歧化酶%纳米金%电化学行为
超氧化物歧化酶%納米金%電化學行為
초양화물기화매%납미금%전화학행위
通过L-半胱氨酸将纳米金修饰到金电极上,把超氧化物歧化酶(SOD)固定在修饰电极表面,制备了SOD-纳米金/L-半胱氨酸修饰电极.运用交流阻抗法、循环伏安法等方法表征了该电极,发现SOD在该电极上于0.15V和-0.05V左右产生较明显的氧化还原峰,在0.04 ～0.24V/s扫描速率范围内,其还原峰电流与扫描速速呈线性关系,表明该电极过程受吸附控制.研究了H2O2对SOD-纳米金/L-半胱氨酸修饰电极伏安行为的影响,发现该电极的还原峰电流与H2O2浓度在1.0×10-6 ～2.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数为-0.996,可用于对H2O2的分析检测.
通過L-半胱氨痠將納米金脩飾到金電極上,把超氧化物歧化酶(SOD)固定在脩飾電極錶麵,製備瞭SOD-納米金/L-半胱氨痠脩飾電極.運用交流阻抗法、循環伏安法等方法錶徵瞭該電極,髮現SOD在該電極上于0.15V和-0.05V左右產生較明顯的氧化還原峰,在0.04 ～0.24V/s掃描速率範圍內,其還原峰電流與掃描速速呈線性關繫,錶明該電極過程受吸附控製.研究瞭H2O2對SOD-納米金/L-半胱氨痠脩飾電極伏安行為的影響,髮現該電極的還原峰電流與H2O2濃度在1.0×10-6 ～2.0×10-4mol/L範圍內呈良好的線性關繫,相關繫數為-0.996,可用于對H2O2的分析檢測.
통과L-반광안산장납미금수식도금전겁상,파초양화물기화매(SOD)고정재수식전겁표면,제비료SOD-납미금/L-반광안산수식전겁.운용교류조항법、순배복안법등방법표정료해전겁,발현SOD재해전겁상우0.15V화-0.05V좌우산생교명현적양화환원봉,재0.04 ～0.24V/s소묘속솔범위내,기환원봉전류여소묘속속정선성관계,표명해전겁과정수흡부공제.연구료H2O2대SOD-납미금/L-반광안산수식전겁복안행위적영향,발현해전겁적환원봉전류여H2O2농도재1.0×10-6 ～2.0×10-4mol/L범위내정량호적선성관계,상관계수위-0.996,가용우대H2O2적분석검측.
