红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2012年
8期
2167-2172
,共6页
王笑夷%高劲松%陈红%王彤彤%申振峰%郑宣鸣
王笑夷%高勁鬆%陳紅%王彤彤%申振峰%鄭宣鳴
왕소이%고경송%진홍%왕동동%신진봉%정선명
碳化锗%sp3杂化碳原子%射频功率%衬底温度
碳化鍺%sp3雜化碳原子%射頻功率%襯底溫度
탄화타%sp3잡화탄원자%사빈공솔%츤저온도
利用磁控溅射方法以cH4和Ar的混合放电气体溅射单晶Ge靶制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,通过XPS、Raman和Nanoindentation等表征手段系统地研究了射频功率和衬底温度对所获薄膜成分、键合结构及力学性质的影响.研究发现:射频功率和衬底温度的增加均能提高膜中的Ge含量,这分别归因于Ge溅射产额的增加以及含碳基团在衬底上脱附作用的增强.Ge含量的增加促进了sp2 C-C 键转变为sp3Ge-C键,进而显著提高了膜中sp3杂化碳原子的相对含量并改善了Ge1-xCx薄膜的硬度.这些结果表明:提高射频功率和衬底温度是制备富含sp3 C的硬质碳化锗薄膜的有效途径.
利用磁控濺射方法以cH4和Ar的混閤放電氣體濺射單晶Ge靶製備碳化鍺(Ge1-xCx)薄膜,通過XPS、Raman和Nanoindentation等錶徵手段繫統地研究瞭射頻功率和襯底溫度對所穫薄膜成分、鍵閤結構及力學性質的影響.研究髮現:射頻功率和襯底溫度的增加均能提高膜中的Ge含量,這分彆歸因于Ge濺射產額的增加以及含碳基糰在襯底上脫附作用的增彊.Ge含量的增加促進瞭sp2 C-C 鍵轉變為sp3Ge-C鍵,進而顯著提高瞭膜中sp3雜化碳原子的相對含量併改善瞭Ge1-xCx薄膜的硬度.這些結果錶明:提高射頻功率和襯底溫度是製備富含sp3 C的硬質碳化鍺薄膜的有效途徑.
이용자공천사방법이cH4화Ar적혼합방전기체천사단정Ge파제비탄화타(Ge1-xCx)박막,통과XPS、Raman화Nanoindentation등표정수단계통지연구료사빈공솔화츤저온도대소획박막성분、건합결구급역학성질적영향.연구발현:사빈공솔화츤저온도적증가균능제고막중적Ge함량,저분별귀인우Ge천사산액적증가이급함탄기단재츤저상탈부작용적증강.Ge함량적증가촉진료sp2 C-C 건전변위sp3Ge-C건,진이현저제고료막중sp3잡화탄원자적상대함량병개선료Ge1-xCx박막적경도.저사결과표명:제고사빈공솔화츤저온도시제비부함sp3 C적경질탄화타박막적유효도경.
