吉林大学学报（信息科学版）
吉林大學學報（信息科學版）
길림대학학보（신식과학판）
JOURNAL OF JILIN UNIVERSITY(INFORMATION SCIENCE EDITION)
2014年
3期
284-287
,共4页
金属/立方氮化硼%整流%空间电荷限制电流%等效电路模型
金屬/立方氮化硼%整流%空間電荷限製電流%等效電路模型
금속/립방담화붕%정류%공간전하한제전류%등효전로모형
metal/cubic boron nitride%rectifier%space charge limited current%equivalent circuit model
为解决金属/立方氮化硼( c-BN)接触问题,提出Si掺杂的立方氮化硼单晶的上表面采用Cu-Zn合金探针、下表面采用Ag浆烧结,制备一个空间电荷限制肖特基二极管。室温下I-V特性实验数据表明,在10 V时器件的整流比为370。提出了该器件的等效电路模型,并且结合空间电荷限制电流和热电子发射理论对实验结果进行了分析。结果表明,正向电流与电压呈现二次幂函数关系。实验测量发现,该二极管开启电压高达4.2 V,最高工作温度超过500益。
為解決金屬/立方氮化硼( c-BN)接觸問題,提齣Si摻雜的立方氮化硼單晶的上錶麵採用Cu-Zn閤金探針、下錶麵採用Ag漿燒結,製備一箇空間電荷限製肖特基二極管。室溫下I-V特性實驗數據錶明,在10 V時器件的整流比為370。提齣瞭該器件的等效電路模型,併且結閤空間電荷限製電流和熱電子髮射理論對實驗結果進行瞭分析。結果錶明,正嚮電流與電壓呈現二次冪函數關繫。實驗測量髮現,該二極管開啟電壓高達4.2 V,最高工作溫度超過500益。
위해결금속/립방담화붕( c-BN)접촉문제,제출Si참잡적립방담화붕단정적상표면채용Cu-Zn합금탐침、하표면채용Ag장소결,제비일개공간전하한제초특기이겁관。실온하I-V특성실험수거표명,재10 V시기건적정류비위370。제출료해기건적등효전로모형,병차결합공간전하한제전류화열전자발사이론대실험결과진행료분석。결과표명,정향전류여전압정현이차멱함수관계。실험측량발현,해이겁관개계전압고체4.2 V,최고공작온도초과500익。
To solve the the metal/cubic boron nitride (c-BN) contact problem, we put forward the Si doping of cubic boron nitride single crystal on the surface of the Cu-zinc alloy probe, the surface uses the Ag plasma sintering, the preparation of a space charge limited schottky diode. The experimental data showed that the characteristics of I-V at room temperature, the device in DC10 V when the rectification ratio is 370;the positive current and voltage is two times the power function relationship. With the space charge limited current and thermionic emission theory, the experimental results are analyzed, and the equivalent circuit model of the sample device.
