发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
9期
1233-1239
,共7页
In含量%效率下降%数值模拟%InGaN/GaN发光二极管
In含量%效率下降%數值模擬%InGaN/GaN髮光二極管
In함량%효솔하강%수치모의%InGaN/GaN발광이겁관
In concentration%efficiency droop%numerical simulate%InGaN/GaN LED
运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系.分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因.当In含量较低时,随着电流密度增大(＜8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(＞8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低；而当In含量较高时,随着电流密度增大,光谱发生蓝移程度相对较大,但在电流密度较大时,会获得较高的发光功率.因此,为了使InGaN/GaN发光二极管获得最大量子效率与发光效率,应该根据电流密度的大小(8 kA/cm2)来选择In含量的高低.
運用軟件模擬和理論計算的方法分析瞭In含量對髮光二極管光電性能的影響,研究瞭In含量與光譜功率密度、量子阱中載流子的濃度、輻射速率、髮光功率等之間的關繫.分析結果錶明:電子洩漏與能帶填充是影響光電性能的主要原因.噹In含量較低時,隨著電流密度增大(＜8 kA/cm2),光譜髮生藍移程度相對較小,但電流密度太大(＞8 kA/cm2)會造成電子洩漏,髮光功率降低；而噹In含量較高時,隨著電流密度增大,光譜髮生藍移程度相對較大,但在電流密度較大時,會穫得較高的髮光功率.因此,為瞭使InGaN/GaN髮光二極管穫得最大量子效率與髮光效率,應該根據電流密度的大小(8 kA/cm2)來選擇In含量的高低.
운용연건모의화이론계산적방법분석료In함량대발광이겁관광전성능적영향,연구료In함량여광보공솔밀도、양자정중재류자적농도、복사속솔、발광공솔등지간적관계.분석결과표명:전자설루여능대전충시영향광전성능적주요원인.당In함량교저시,수착전류밀도증대(＜8 kA/cm2),광보발생람이정도상대교소,단전류밀도태대(＞8 kA/cm2)회조성전자설루,발광공솔강저；이당In함량교고시,수착전류밀도증대,광보발생람이정도상대교대,단재전류밀도교대시,회획득교고적발광공솔.인차,위료사InGaN/GaN발광이겁관획득최대양자효솔여발광효솔,응해근거전류밀도적대소(8 kA/cm2)래선택In함량적고저.
