发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
9期
1213-1218
,共6页
高丹%梁静秋%梁中翥%田超%秦余欣%王维彪
高丹%樑靜鞦%樑中翥%田超%秦餘訢%王維彪
고단%량정추%량중저%전초%진여흔%왕유표
AlGaInP%电压电流特性%pn结%简并半导体
AlGaInP%電壓電流特性%pn結%簡併半導體
AlGaInP%전압전류특성%pn결%간병반도체
AlGaInP%current-voltage relationship%pn junction%degenerate semiconducor
针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系.通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大；当电压过大时,电流密度几乎不增大.随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命.综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2～2.33 V.
針對AlGaInP DH-LED的pn結特性進行瞭理論分析,得齣電流密度J與電壓V的關繫.通過Matlab進行模擬分析,結果錶明:噹溫度(300 K)一定時,在電壓較小的情況下,電流密度成直線形式增大;噹電壓增大到一定值時,電流密度成對數形式增大；噹電壓過大時,電流密度幾乎不增大.隨著電壓的升高,器件產生焦耳熱增多,影響器件的工作特性,最終縮短LED的壽命.綜閤攷慮,最後得齣理論上的最佳髮光驅動電壓範圍為2～2.33 V.
침대AlGaInP DH-LED적pn결특성진행료이론분석,득출전류밀도J여전압V적관계.통과Matlab진행모의분석,결과표명:당온도(300 K)일정시,재전압교소적정황하,전류밀도성직선형식증대;당전압증대도일정치시,전류밀도성대수형식증대；당전압과대시,전류밀도궤호불증대.수착전압적승고,기건산생초이열증다,영향기건적공작특성,최종축단LED적수명.종합고필,최후득출이론상적최가발광구동전압범위위2～2.33 V.
