光学仪器
光學儀器
광학의기
OPTICAL INSTRUMENTS
2014年
1期
20-24,35
,共6页
郭雄彬%方旭%傅建新%许坚%叶辉
郭雄彬%方旭%傅建新%許堅%葉輝
곽웅빈%방욱%부건신%허견%협휘
图形衬底%提拉法%SiO2纳米颗粒%光提取效率%外延生长
圖形襯底%提拉法%SiO2納米顆粒%光提取效率%外延生長
도형츤저%제랍법%SiO2납미과립%광제취효솔%외연생장
patterned substrates%dip-coating%SiO2 nano-particles%the light extraction efficiency%epitaxial growth
报道了一种新型的纳米-微米复合的蓝宝石图形化衬底,采用dip-coating的方法在微米级SiO2半球阵列表面静电自组装一层SiO2纳米球,形成了适合纳米范围选择性生长的区域.研究发现,该复合结构的制备过程与后续外延的工艺兼容.经封装后,在复合图形衬底上制造的LED芯片,其所测试的光通量比未添加SiO2纳米颗粒的微米图形衬底制造的LED光通量提高57％左右,而光输出功率则提高了17,8％.研究表明,在传统的微米图形衬底上加入SiO2纳米颗粒阵列不仅能够提供纳米级区域外延生长的模板,有效减少外延层的线位错密度,而且能够进一步粗化衬底表面,增加有源层光线逸出的几率,从而有效地提高了光提取效率.
報道瞭一種新型的納米-微米複閤的藍寶石圖形化襯底,採用dip-coating的方法在微米級SiO2半毬陣列錶麵靜電自組裝一層SiO2納米毬,形成瞭適閤納米範圍選擇性生長的區域.研究髮現,該複閤結構的製備過程與後續外延的工藝兼容.經封裝後,在複閤圖形襯底上製造的LED芯片,其所測試的光通量比未添加SiO2納米顆粒的微米圖形襯底製造的LED光通量提高57％左右,而光輸齣功率則提高瞭17,8％.研究錶明,在傳統的微米圖形襯底上加入SiO2納米顆粒陣列不僅能夠提供納米級區域外延生長的模闆,有效減少外延層的線位錯密度,而且能夠進一步粗化襯底錶麵,增加有源層光線逸齣的幾率,從而有效地提高瞭光提取效率.
보도료일충신형적납미-미미복합적람보석도형화츤저,채용dip-coating적방법재미미급SiO2반구진렬표면정전자조장일층SiO2납미구,형성료괄합납미범위선택성생장적구역.연구발현,해복합결구적제비과정여후속외연적공예겸용.경봉장후,재복합도형츤저상제조적LED심편,기소측시적광통량비미첨가SiO2납미과립적미미도형츤저제조적LED광통량제고57％좌우,이광수출공솔칙제고료17,8％.연구표명,재전통적미미도형츤저상가입SiO2납미과립진렬불부능구제공납미급구역외연생장적모판,유효감소외연층적선위착밀도,이차능구진일보조화츤저표면,증가유원층광선일출적궤솔,종이유효지제고료광제취효솔.
