光谱实验室
光譜實驗室
광보실험실
CHINESE JOURNAL OF SPECTROSCOPY LABORATORY
2013年
5期
2169-2173
,共5页
磁控溅射%掺杂氧化锌%透明导电薄膜
磁控濺射%摻雜氧化鋅%透明導電薄膜
자공천사%참잡양화자%투명도전박막
采用ZnO:Ga2O3:TiO2为靶材,在玻璃衬底上射频磁控溅射制备了多晶Ga-Ti共掺杂ZnO(GTZO)薄膜,通过XRD、四探针、透射光谱测试研究了生长温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度.当生长温度为620K时GTZO薄膜的结晶质量最佳、电阻率最低、透射率最大、品质因数最高.
採用ZnO:Ga2O3:TiO2為靶材,在玻璃襯底上射頻磁控濺射製備瞭多晶Ga-Ti共摻雜ZnO(GTZO)薄膜,通過XRD、四探針、透射光譜測試研究瞭生長溫度對薄膜結構和光電性能的影響.結果錶明:所製備的薄膜具有c軸擇優取嚮,光學帶隙均大于本徵ZnO的禁帶寬度.噹生長溫度為620K時GTZO薄膜的結晶質量最佳、電阻率最低、透射率最大、品質因數最高.
채용ZnO:Ga2O3:TiO2위파재,재파리츤저상사빈자공천사제비료다정Ga-Ti공참잡ZnO(GTZO)박막,통과XRD、사탐침、투사광보측시연구료생장온도대박막결구화광전성능적영향.결과표명:소제비적박막구유c축택우취향,광학대극균대우본정ZnO적금대관도.당생장온도위620K시GTZO박막적결정질량최가、전조솔최저、투사솔최대、품질인수최고.
