原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2014年
2期
229-233
,共5页
C32分子器件%负微分电阻效应%伏安曲线
C32分子器件%負微分電阻效應%伏安麯線
C32분자기건%부미분전조효응%복안곡선
C32 molecule device%Negative differential resistance effects%Ⅰ-Ⅴ curve
采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了硼原子的掺杂对于富勒稀C32分子的电子传输特性与负微分电阻效应的影响.结果显示硼原子的掺杂明显降低了C32分子的电子传输特性,却增强了分子的负微分电阻效应.分析认为,硼原子的掺杂减少了核外电子是导致分子的电子传输性能降低和负微分电阻效应增强的主要原因.本文还研究了掺杂的硼原子的个数多少对C32分子的影响.
採用基于密度汎涵理論的第一性原理和非平衡格林函數方法研究瞭硼原子的摻雜對于富勒稀C32分子的電子傳輸特性與負微分電阻效應的影響.結果顯示硼原子的摻雜明顯降低瞭C32分子的電子傳輸特性,卻增彊瞭分子的負微分電阻效應.分析認為,硼原子的摻雜減少瞭覈外電子是導緻分子的電子傳輸性能降低和負微分電阻效應增彊的主要原因.本文還研究瞭摻雜的硼原子的箇數多少對C32分子的影響.
채용기우밀도범함이론적제일성원리화비평형격림함수방법연구료붕원자적참잡대우부륵희C32분자적전자전수특성여부미분전조효응적영향.결과현시붕원자적참잡명현강저료C32분자적전자전수특성,각증강료분자적부미분전조효응.분석인위,붕원자적참잡감소료핵외전자시도치분자적전자전수성능강저화부미분전조효응증강적주요원인.본문환연구료참잡적붕원자적개수다소대C32분자적영향.
