材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2014年
10期
38-41
,共4页
BaSi2薄膜%晶体结构%表面形貌%透射光谱%电学性质
BaSi2薄膜%晶體結構%錶麵形貌%透射光譜%電學性質
BaSi2박막%정체결구%표면형모%투사광보%전학성질
BaSi2 film%crystal structure%surface morphology%transmission spectra%electricity property
室温下采用磁控溅射的方法在p-Si(111)衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400～850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响.实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜.
室溫下採用磁控濺射的方法在p-Si(111)襯底上沉積Ba膜,然後置入高真空退火爐中在400～850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,對退火後的Ba-Si化閤物進行瞭晶體結構、錶麵形貌、透射光譜及電學性質的測試分析,研究瞭退火溫度對薄膜結晶的影響.實驗結果錶明,退火溫度對生成Ba-Si化閤物及薄膜的錶麵形貌影響很大,隨著退火溫度從400℃升高到800℃,薄膜的結晶情況逐漸改善,晶粒隨著溫度的升高逐漸增大;800℃對于生成多晶的BaSi2薄膜是一箇比較理想的退火溫度;850℃生成瞭多相共生的硅化物薄膜.
실온하채용자공천사적방법재p-Si(111)츤저상침적Ba막,연후치입고진공퇴화로중재400～850℃퇴화12 h생성Ba적규화물박막,대퇴화후적Ba-Si화합물진행료정체결구、표면형모、투사광보급전학성질적측시분석,연구료퇴화온도대박막결정적영향.실험결과표명,퇴화온도대생성Ba-Si화합물급박막적표면형모영향흔대,수착퇴화온도종400℃승고도800℃,박막적결정정황축점개선,정립수착온도적승고축점증대;800℃대우생성다정적BaSi2박막시일개비교이상적퇴화온도;850℃생성료다상공생적규화물박막.
