强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2013年
9期
2471-2476
,共6页
光导开关%半导体模型%PSpice模型%电路参数
光導開關%半導體模型%PSpice模型%電路參數
광도개관%반도체모형%PSpice모형%전로삼수
photoconductive semiconductor switch%semiconductor model%PSpice model%exterior electric parameter
利用SilvacoTCAD软件,在532 nm激光辐照下,对正对电极结构6H-SiC光导开关(SiC-PCSS)瞬态电流电场的分布及不同光功率下的伏安特性进行了仿真.结果表明:载流子速率在强场下达到饱和,并且电流电场在主要电流区域沿垂直于激光辐照方向均匀分布.提出SiC-PCSS电路模型的建模依据,可以近似条件化简得到PCSS电阻一般表达式的解,建立SiC-PCSS载流子迁移率随电场变化的PSpice模型,分析讨论了外电路参数对SiC-PCSS导通过程的影响.该模型模拟结果与已有实验结果吻合良好.
利用SilvacoTCAD軟件,在532 nm激光輻照下,對正對電極結構6H-SiC光導開關(SiC-PCSS)瞬態電流電場的分佈及不同光功率下的伏安特性進行瞭倣真.結果錶明:載流子速率在彊場下達到飽和,併且電流電場在主要電流區域沿垂直于激光輻照方嚮均勻分佈.提齣SiC-PCSS電路模型的建模依據,可以近似條件化簡得到PCSS電阻一般錶達式的解,建立SiC-PCSS載流子遷移率隨電場變化的PSpice模型,分析討論瞭外電路參數對SiC-PCSS導通過程的影響.該模型模擬結果與已有實驗結果吻閤良好.
이용SilvacoTCAD연건,재532 nm격광복조하,대정대전겁결구6H-SiC광도개관(SiC-PCSS)순태전류전장적분포급불동광공솔하적복안특성진행료방진.결과표명:재류자속솔재강장하체도포화,병차전류전장재주요전류구역연수직우격광복조방향균균분포.제출SiC-PCSS전로모형적건모의거,가이근사조건화간득도PCSS전조일반표체식적해,건립SiC-PCSS재류자천이솔수전장변화적PSpice모형,분석토론료외전로삼수대SiC-PCSS도통과정적영향.해모형모의결과여이유실험결과문합량호.
