强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2013年
9期
2439-2442
,共4页
范晓强%蒋勇%展长勇%邹宇%伍建春%黄宁康%王春芬
範曉彊%蔣勇%展長勇%鄒宇%伍建春%黃寧康%王春芬
범효강%장용%전장용%추우%오건춘%황저강%왕춘분
多孔硅阵列%中子探测器%形貌%异丙醇%阳极氧化
多孔硅陣列%中子探測器%形貌%異丙醇%暘極氧化
다공규진렬%중자탐측기%형모%이병순%양겁양화
silicon macropore array%neutron detector%morphology%isopropanol%anodisation
采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+ IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响.结果表明:在质量分数40％HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列；腐蚀电流密度越大,孔壁越薄；初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10 μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔.CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加.
採用電化學腐蝕方法分彆在HF+異丙醇(IPA)和HF+ IPA+十六烷基三甲基氯化銨(CATC)溶液中製備多孔硅結構陣列,分彆討論HF痠濃度、CTAC、刻蝕電流、刻蝕時間對多孔硅陣列的形貌的影響.結果錶明:在質量分數40％HF,H2O,IPA的體積比為7∶4∶29時得到優化的多孔硅陣列；腐蝕電流密度越大,孔壁越薄；初始的腐蝕會嚮外擴展直到形成的孔徑達近10 μm,在窗口8μm、間距5μm的硅片上腐蝕的孔壁錶麵齣現小孔.CTAC的加入會使孔壁上刻蝕齣小孔,併隨著CTAC的增加,小孔的孔徑減小,數量增加.
채용전화학부식방법분별재HF+이병순(IPA)화HF+ IPA+십륙완기삼갑기록화안(CATC)용액중제비다공규결구진렬,분별토론HF산농도、CTAC、각식전류、각식시간대다공규진렬적형모적영향.결과표명:재질량분수40％HF,H2O,IPA적체적비위7∶4∶29시득도우화적다공규진렬；부식전류밀도월대,공벽월박；초시적부식회향외확전직도형성적공경체근10 μm,재창구8μm、간거5μm적규편상부식적공벽표면출현소공.CTAC적가입회사공벽상각식출소공,병수착CTAC적증가,소공적공경감소,수량증가.
