锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟
타규이질결정체관단입자효응격광미속모의
Influencing factors of SiGe heterojunction bipolar transistor single-event effect in laser microbeam simulation test
  • 万方数据
    强激光与粒子束 강격광여입자속
    HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
    2013年 9期 2433-2438 ,共6页

    张晋新%郭红霞%文林%郭旗%崔江维%范雪%肖尧%席善斌%王信

    장진신%곽홍하%문림%곽기%최강유%범설%초요%석선빈%왕신

    锗硅异质结双极晶体管%单粒子效应%激光微束%电荷收集 鍺硅異質結雙極晶體管%單粒子效應%激光微束%電荷收集
    타규이질결쌍겁정체관%단입자효응%격광미속%전하수집
    SiGe heterojunction bipolar transistors%single-event effect%laser microbeam%charge collection
    对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析.试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064 nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变.入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加；外加电压增大,电流脉冲的波峰增大；SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量.
    대국산타규이질결쌍겁정체관(SiGe HBT)진행료단입자효응격광미속복조시험,관측SiGeHBT단입자효응적민감구역,측시불동외가전압화불동격광능량하SiGe HBT집전겁순변전류화전하수집정황,병결합기건결구대시험결과진행분석.시험결과표명:국산SiGe HBT위우집전겁/츤저결내적구역대단입자효응민감,파장위1064 nm적격광재능량약위1.5nJ시유발SiGe HBT단입자효응,인기전류순변.입사격광능량증강,전류맥충증대,전하수집량증가；외가전압증대,전류맥충적파봉증대；SiGe HBT적단입자효응여외가전압대소화입사격광능량도상관,전압주요영향순변전류적봉치,이전하수집량주요의뢰우입사격광능량.
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