原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2013年
4期
670-676
,共7页
郭永亮%焦照勇%马淑红%张现周
郭永亮%焦照勇%馬淑紅%張現週
곽영량%초조용%마숙홍%장현주
宽禁带半导体%电子结构%光学性质%第一性原理计算
寬禁帶半導體%電子結構%光學性質%第一性原理計算
관금대반도체%전자결구%광학성질%제일성원리계산
wide bandgap semiconductors%electronic structure%optical properties%first-principles calculations
本文采用基于密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势从头算量子力学方法,对闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb的电子结构和光学性质进行了研究.分析比较了这些化合物的能带结构、态密度、介电函数及折射率等性质,总结Al与不同V族元素形成化合物时的性质变化规律.结果表明,四种材料有着相似的能带结构,都是间接带隙宽禁带半导体,但是在导带底AlN的能态结构与其它三种材料明显不同.随着从AlN到AlSb的变化,光学性质曲线向低能端移动(红移趋势).
本文採用基于密度汎函理論下的第一性原理平麵波贗勢從頭算量子力學方法,對閃鋅礦結構AlN、AlP、AlAs和AlSb的電子結構和光學性質進行瞭研究.分析比較瞭這些化閤物的能帶結構、態密度、介電函數及摺射率等性質,總結Al與不同V族元素形成化閤物時的性質變化規律.結果錶明,四種材料有著相似的能帶結構,都是間接帶隙寬禁帶半導體,但是在導帶底AlN的能態結構與其它三種材料明顯不同.隨著從AlN到AlSb的變化,光學性質麯線嚮低能耑移動(紅移趨勢).
본문채용기우밀도범함이론하적제일성원리평면파안세종두산양자역학방법,대섬자광결구AlN、AlP、AlAs화AlSb적전자결구화광학성질진행료연구.분석비교료저사화합물적능대결구、태밀도、개전함수급절사솔등성질,총결Al여불동V족원소형성화합물시적성질변화규률.결과표명,사충재료유착상사적능대결구,도시간접대극관금대반도체,단시재도대저AlN적능태결구여기타삼충재료명현불동.수착종AlN도AlSb적변화,광학성질곡선향저능단이동(홍이추세).
