中国科技论文
中國科技論文
중국과기논문
Sciencepaper Online
2013年
7期
703-706
,共4页
李烨操%胡海楠%刘斌%张荣%滕龙%庄喆%谢自力%陈敦军%郑有炓
李燁操%鬍海楠%劉斌%張榮%滕龍%莊喆%謝自力%陳敦軍%鄭有炓
리엽조%호해남%류빈%장영%등룡%장철%사자력%진돈군%정유료
微电子学与固体电子学%InGaN%拉曼散射%声子模%温度
微電子學與固體電子學%InGaN%拉曼散射%聲子模%溫度
미전자학여고체전자학%InGaN%랍만산사%성자모%온도
采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜.X射线衍射(XRD)谱仅观察到InGaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,表明InGaN与GaN均具有单晶C向的六方纤锌矿结构,利用衍射角度计算出Inx Ga1-xN薄膜的合金In组分x范围为0.34≤x≤1.室温下拉曼散射光谱测量发现,该系列Inx Ga1xN合金的A1(LO)与E2 (high)声子模峰位随着In组分x的增加均向低波速移动,并且峰位随组分的关系满足单模模式的变化规律.变温(93～673 K)测量的拉曼散射光谱显示,InGaN的A1(LO)模峰位随着测量温度的升高向低波速非线性地偏移,该现象是由于晶格热膨胀和格点的非简谐振动的温度效应共同作用引起的.
採用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)襯底上生長穫得瞭InGaN閤金薄膜.X射線衍射(XRD)譜僅觀察到InGaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,錶明InGaN與GaN均具有單晶C嚮的六方纖鋅礦結構,利用衍射角度計算齣Inx Ga1-xN薄膜的閤金In組分x範圍為0.34≤x≤1.室溫下拉曼散射光譜測量髮現,該繫列Inx Ga1xN閤金的A1(LO)與E2 (high)聲子模峰位隨著In組分x的增加均嚮低波速移動,併且峰位隨組分的關繫滿足單模模式的變化規律.變溫(93～673 K)測量的拉曼散射光譜顯示,InGaN的A1(LO)模峰位隨著測量溫度的升高嚮低波速非線性地偏移,該現象是由于晶格熱膨脹和格點的非簡諧振動的溫度效應共同作用引起的.
채용MOCVD방법재GaN/α-Al2O3(0001)츤저상생장획득료InGaN합금박막.X사선연사(XRD)보부관찰도InGaN(0002)화GaN(0002)적연사봉,표명InGaN여GaN균구유단정C향적륙방섬자광결구,이용연사각도계산출Inx Ga1-xN박막적합금In조분x범위위0.34≤x≤1.실온하랍만산사광보측량발현,해계렬Inx Ga1xN합금적A1(LO)여E2 (high)성자모봉위수착In조분x적증가균향저파속이동,병차봉위수조분적관계만족단모모식적변화규률.변온(93～673 K)측량적랍만산사광보현시,InGaN적A1(LO)모봉위수착측량온도적승고향저파속비선성지편이,해현상시유우정격열팽창화격점적비간해진동적온도효응공동작용인기적.
