厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2012年
6期
1011-1015
,共5页
绝缘体上硅%阳极键合%埋氧层%键合电压%脉冲电源
絕緣體上硅%暘極鍵閤%埋氧層%鍵閤電壓%脈遲電源
절연체상규%양겁건합%매양층%건합전압%맥충전원
运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500 nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合.
運用暘極鍵閤技術,對絕緣體上硅(SOI)/玻璃進行暘極鍵閤實驗,髮現噹埋氧層厚度超過500 nm時,鍵閤很難成功.分析瞭SOI埋氧層厚度對耗儘層電壓降及鍵閤靜電力的影響,得齣由于埋氧層的分壓作用,耗儘層的壓降減小,鍵閤靜電力減弱,導緻鍵閤失敗.通過設計高壓直流和高壓脈遲兩種輸齣方式的電源繫統,提高氧負離子的遷移速率從而提高鍵閤速度.從平闆式暘極引一根探針電極到SOI器件層錶麵,使鍵閤電壓直接加在耗儘層上,避免埋氧層厚度對鍵閤的影響,提高鍵閤靜電力.實驗錶明,通過改進的鍵閤設備能實現不同氧化層厚度的SOI片與玻璃間的鍵閤,該設備還適用于其他異質材料間的暘極鍵閤.
운용양겁건합기술,대절연체상규(SOI)/파리진행양겁건합실험,발현당매양층후도초과500 nm시,건합흔난성공.분석료SOI매양층후도대모진층전압강급건합정전력적영향,득출유우매양층적분압작용,모진층적압강감소,건합정전력감약,도치건합실패.통과설계고압직류화고압맥충량충수출방식적전원계통,제고양부리자적천이속솔종이제고건합속도.종평판식양겁인일근탐침전겁도SOI기건층표면,사건합전압직접가재모진층상,피면매양층후도대건합적영향,제고건합정전력.실험표명,통과개진적건합설비능실현불동양화층후도적SOI편여파리간적건합,해설비환괄용우기타이질재료간적양겁건합.
