西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2012年
4期
94-97,113
,共5页
戴显英%李志%张鹤鸣%郝跃%王琳%查冬%王晓晨%付毅初
戴顯英%李誌%張鶴鳴%郝躍%王琳%查鼕%王曉晨%付毅初
대현영%리지%장학명%학약%왕림%사동%왕효신%부의초
阈值电压模型%Ge沟道pMOSFET%漏致势垒降低效应%短沟道效应
閾值電壓模型%Ge溝道pMOSFET%漏緻勢壘降低效應%短溝道效應
역치전압모형%Ge구도pMOSFET%루치세루강저효응%단구도효응
基于MOS器件的短沟道效应和满致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
基于MOS器件的短溝道效應和滿緻勢壘降低效應理論,通過求解泊鬆方程,建立瞭錶麵Ge溝道pMOSFET的閾值電壓模型.基于該模型對錶麵Ge溝道MOSFET器件的溝道長度、柵氧化層厚度、襯底摻雜濃度、SiGe虛擬襯底中的Ge含量等結構參數以及漏源電壓對閾值電壓的影響進行瞭模型模擬分析.模擬結果錶明,噹溝道長度小于200nm時,短溝道效應和漏緻勢壘降低效應對閾值電壓影響較大,而噹溝道長度超過500nm時,短溝道效應和漏緻勢壘降低效應對閾值電壓的影響可以忽略.模型計算結果與實驗結果吻閤較好.
기우MOS기건적단구도효응화만치세루강저효응이론,통과구해박송방정,건립료표면Ge구도pMOSFET적역치전압모형.기우해모형대표면Ge구도MOSFET기건적구도장도、책양화층후도、츤저참잡농도、SiGe허의츤저중적Ge함량등결구삼수이급루원전압대역치전압적영향진행료모형모의분석.모의결과표명,당구도장도소우200nm시,단구도효응화루치세루강저효응대역치전압영향교대,이당구도장도초과500nm시,단구도효응화루치세루강저효응대역치전압적영향가이홀략.모형계산결과여실험결과문합교호.
