西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2012年
4期
11-16
,共6页
赵磊%杨银堂%朱樟明%刘帘曦
趙磊%楊銀堂%硃樟明%劉簾晞
조뢰%양은당%주장명%류렴희
带隙基准源%零反馈补偿%BiCMOS%差分参考电压
帶隙基準源%零反饋補償%BiCMOS%差分參攷電壓
대극기준원%령반궤보상%BiCMOS%차분삼고전압
采用电流求和结构,提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源,引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比,电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂.基于ASMC0.35μm3.3VBiCMOS工艺的仿真和测试结果表明,在低频和100MHz时,参考差分电压对电源噪声抑制比为78.1dB和66.7dB,对地线噪声抑制比为72.4 dB和63.8dB,输出差分参考电压的平均温度系数为11×10-6/℃,有效芯片面积为2.2mm2,功耗小于15mW,可应用于14位100 MHz流水线模/数转换中,
採用電流求和結構,提齣瞭一種高性能BiCMOS差分參攷電壓源,引入零反饋補償技術有效提高瞭差分參攷電壓的電源抑製比,電流求和溫度補償技術保證瞭差分參攷電壓的高精度、低溫漂.基于ASMC0.35μm3.3VBiCMOS工藝的倣真和測試結果錶明,在低頻和100MHz時,參攷差分電壓對電源譟聲抑製比為78.1dB和66.7dB,對地線譟聲抑製比為72.4 dB和63.8dB,輸齣差分參攷電壓的平均溫度繫數為11×10-6/℃,有效芯片麵積為2.2mm2,功耗小于15mW,可應用于14位100 MHz流水線模/數轉換中,
채용전류구화결구,제출료일충고성능BiCMOS차분삼고전압원,인입령반궤보상기술유효제고료차분삼고전압적전원억제비,전류구화온도보상기술보증료차분삼고전압적고정도、저온표.기우ASMC0.35μm3.3VBiCMOS공예적방진화측시결과표명,재저빈화100MHz시,삼고차분전압대전원조성억제비위78.1dB화66.7dB,대지선조성억제비위72.4 dB화63.8dB,수출차분삼고전압적평균온도계수위11×10-6/℃,유효심편면적위2.2mm2,공모소우15mW,가응용우14위100 MHz류수선모/수전환중,
