发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
11期
1258-1263
,共6页
李俊%周帆%张建华%蒋雪茵%张志林
李俊%週帆%張建華%蔣雪茵%張誌林
리준%주범%장건화%장설인%장지림
薄膜晶体管%稳定性%反应溅射SiOx
薄膜晶體管%穩定性%反應濺射SiOx
박막정체관%은정성%반응천사SiOx
thin film transistor%stability%reactive sputtered SiOx
制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况.结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略.采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷.另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间.本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因.
製備瞭基于反應濺射SiOx絕緣層的InGaZnO-TFT,併繫統地研究瞭InGaZnO-TFT在白光照射下的穩定性,主要涉及到光照、負偏壓、正偏壓、光照負偏壓和光照正偏壓5種情況.結果錶明,器件在光照和負偏壓光照下的閾值偏移較大,而在正偏壓光照情況下的閾值偏移幾乎可以忽略.採用C-V方法證明閾值電壓漂移是源于絕緣層/有源層附近及界麵處的缺陷.另外,採用指數模式計算瞭缺陷態的弛豫時間.本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏壓下的不穩定的原因.
제비료기우반응천사SiOx절연층적InGaZnO-TFT,병계통지연구료InGaZnO-TFT재백광조사하적은정성,주요섭급도광조、부편압、정편압、광조부편압화광조정편압5충정황.결과표명,기건재광조화부편압광조하적역치편이교대,이재정편압광조정황하적역치편이궤호가이홀략.채용C-V방법증명역치전압표이시원우절연층/유원층부근급계면처적결함.령외,채용지수모식계산료결함태적이예시간.본연구적목적취시게시InGaZnO-TFT재백광조사화편압하적불은정적원인.
