发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
11期
1224-1231
,共8页
王光华%孔金丞%李雄军%杨丽丽%赵惠琼%姬荣斌
王光華%孔金丞%李雄軍%楊麗麗%趙惠瓊%姬榮斌
왕광화%공금승%리웅군%양려려%조혜경%희영빈
碲镉汞薄膜%非晶半导体%微观结构%表面形貌%磁控溅射
碲鎘汞薄膜%非晶半導體%微觀結構%錶麵形貌%磁控濺射
제력홍박막%비정반도체%미관결구%표면형모%자공천사
Hg1-xCdx Te films%amorphous semiconductors%microstructure%surface morphology%magnetron sputtering
采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究.实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直接影响.随着溅射气压增大,其生长速率逐渐降低.当溅射气压高于1.1 Pa时,薄膜XRD图谱上没有出现任何特征衍射峰,只是在2θ=23°附近出现衍射波包,具有明显的非晶态特征；当溅射气压小于1.1 Pa时,XRD谱表现为多晶结构.另外,随着溅射气压的增加,薄膜表面粗糙度逐渐减小,而且溅射气压对薄膜组成的化学计量比有明显影响,当溅射气压为1.1Pa时,薄膜中Hg的组分比最低,而Cd组分比最高.
採用射頻磁控濺射製備瞭非晶態結構的Hg1-xCdxTe薄膜,併利用檯階儀、XRD、原子力顯微鏡、EDS等分析手段對薄膜生長速率、物相、錶麵形貌、組分比例進行瞭研究.實驗結果錶明,濺射氣壓對薄膜生長速率、微觀結構、錶麵形貌和化學組分有直接影響.隨著濺射氣壓增大,其生長速率逐漸降低.噹濺射氣壓高于1.1 Pa時,薄膜XRD圖譜上沒有齣現任何特徵衍射峰,隻是在2θ=23°附近齣現衍射波包,具有明顯的非晶態特徵；噹濺射氣壓小于1.1 Pa時,XRD譜錶現為多晶結構.另外,隨著濺射氣壓的增加,薄膜錶麵粗糙度逐漸減小,而且濺射氣壓對薄膜組成的化學計量比有明顯影響,噹濺射氣壓為1.1Pa時,薄膜中Hg的組分比最低,而Cd組分比最高.
채용사빈자공천사제비료비정태결구적Hg1-xCdxTe박막,병이용태계의、XRD、원자력현미경、EDS등분석수단대박막생장속솔、물상、표면형모、조분비례진행료연구.실험결과표명,천사기압대박막생장속솔、미관결구、표면형모화화학조분유직접영향.수착천사기압증대,기생장속솔축점강저.당천사기압고우1.1 Pa시,박막XRD도보상몰유출현임하특정연사봉,지시재2θ=23°부근출현연사파포,구유명현적비정태특정；당천사기압소우1.1 Pa시,XRD보표현위다정결구.령외,수착천사기압적증가,박막표면조조도축점감소,이차천사기압대박막조성적화학계량비유명현영향,당천사기압위1.1Pa시,박막중Hg적조분비최저,이Cd조분비최고.
