材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
22期
47-50
,共4页
梁凤敏%周灵平%彭坤%朱家俊%李德意
樑鳳敏%週靈平%彭坤%硃傢俊%李德意
량봉민%주령평%팽곤%주가준%리덕의
脉冲磁控溅射%微晶硅薄膜%结晶性能%沉积速率
脈遲磁控濺射%微晶硅薄膜%結晶性能%沉積速率
맥충자공천사%미정규박막%결정성능%침적속솔
采用脉冲磁控溅射法制备氢化微晶硅薄膜,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和四探针测试仪对薄膜结构和电学性能进行表征和测试,研究了衬底温度、氢气稀释浓度和溅射功率对硅薄膜结构和性能的影响.结果表明:在一定范围内,通过控制合适的衬底温度、增大氢气稀释浓度及提高溅射功率,可以制备高质量的微晶硅薄膜.在衬底温度为400℃、氢气稀释浓度为90％及溅射功率为180W的条件下制备的微晶硅薄膜,其晶化率为72.2％,沉积速率为0.48nm/s.
採用脈遲磁控濺射法製備氫化微晶硅薄膜,利用X射線衍射、拉曼光譜、掃描電子顯微鏡和四探針測試儀對薄膜結構和電學性能進行錶徵和測試,研究瞭襯底溫度、氫氣稀釋濃度和濺射功率對硅薄膜結構和性能的影響.結果錶明:在一定範圍內,通過控製閤適的襯底溫度、增大氫氣稀釋濃度及提高濺射功率,可以製備高質量的微晶硅薄膜.在襯底溫度為400℃、氫氣稀釋濃度為90％及濺射功率為180W的條件下製備的微晶硅薄膜,其晶化率為72.2％,沉積速率為0.48nm/s.
채용맥충자공천사법제비경화미정규박막,이용X사선연사、랍만광보、소묘전자현미경화사탐침측시의대박막결구화전학성능진행표정화측시,연구료츤저온도、경기희석농도화천사공솔대규박막결구화성능적영향.결과표명:재일정범위내,통과공제합괄적츤저온도、증대경기희석농도급제고천사공솔,가이제비고질량적미정규박막.재츤저온도위400℃、경기희석농도위90％급천사공솔위180W적조건하제비적미정규박막,기정화솔위72.2％,침적속솔위0.48nm/s.
