红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2012年
6期
481-485,496
,共6页
金巨鹏%刘丹%陈建新%林春
金巨鵬%劉丹%陳建新%林春
금거붕%류단%진건신%림춘
量子阱红外探测器%GaAs/AlGaAs%峰值波长%光谱响应%能带非抛物线性
量子阱紅外探測器%GaAs/AlGaAs%峰值波長%光譜響應%能帶非拋物線性
양자정홍외탐측기%GaAs/AlGaAs%봉치파장%광보향응%능대비포물선성
QWIP%GaAs/AlGaAs%peak detection wavelength%spectral responsivity%band nonparabolicity
采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生长了设计峰值波长为8μm的GaAs/AlGaAs多量子阱材料,进而制备了单元器件,并测试了I-V曲线、光谱响应和探测率.I-V曲线的良好对称性显示了材料生长与器件制备工艺的质量,光谱响应曲线表明器件实际的峰值探测波长为7.96 ～7.98 μm,与设计预期值吻合.
採用單能帶電子有效質量近似(EMA)和波包函數近似(EFA)模型,攷慮瞭能帶非拋物線性等高階因素,併利用投試法求解薛定諤方程,計算瞭準確設計峰值探測波長的GaAs/AlGaAs量子阱探測器結構參數.基于計算結果,用分子束外延(MBE)方法生長瞭設計峰值波長為8μm的GaAs/AlGaAs多量子阱材料,進而製備瞭單元器件,併測試瞭I-V麯線、光譜響應和探測率.I-V麯線的良好對稱性顯示瞭材料生長與器件製備工藝的質量,光譜響應麯線錶明器件實際的峰值探測波長為7.96 ～7.98 μm,與設計預期值吻閤.
채용단능대전자유효질량근사(EMA)화파포함수근사(EFA)모형,고필료능대비포물선성등고계인소,병이용투시법구해설정악방정,계산료준학설계봉치탐측파장적GaAs/AlGaAs양자정탐측기결구삼수.기우계산결과,용분자속외연(MBE)방법생장료설계봉치파장위8μm적GaAs/AlGaAs다양자정재료,진이제비료단원기건,병측시료I-V곡선、광보향응화탐측솔.I-V곡선적량호대칭성현시료재료생장여기건제비공예적질량,광보향응곡선표명기건실제적봉치탐측파장위7.96 ～7.98 μm,여설계예기치문합.
