燕山大学学报
燕山大學學報
연산대학학보
JOURNAL OF YANSHAN UNIVERSITY
2012年
6期
482-485,490
,共5页
杨静凯%赵洪力%董立中%张福成
楊靜凱%趙洪力%董立中%張福成
양정개%조홍력%동립중%장복성
低辐射玻璃%氧化锡薄膜%钢化%表面电阻%光电子能谱
低輻射玻璃%氧化錫薄膜%鋼化%錶麵電阻%光電子能譜
저복사파리%양화석박막%강화%표면전조%광전자능보
采用有机金属化合物化学气相沉积法(MOCVD)在浮法玻璃上沉积了F掺杂的氧化锡薄膜,制备低辐射镀膜玻璃,并在高温电阻炉和钢化炉内分别进行热处理和钢化实验,对不同条件下的电学性能进行了研究.采用XPS和AES对薄膜中[O]/[Sn]平均含量的变化进行了分析.结果表明,在650℃之内,表面电阻没有发生明显改变,但此后快速上升至86.68Ω□;薄膜O和Sn的含量不符合化学计量比,[O]/[Sn]比均小于1.20;随着热处理温度的提高和时间的延长,薄膜中O含量有所提高,与表面电阻的变化趋势接近.
採用有機金屬化閤物化學氣相沉積法(MOCVD)在浮法玻璃上沉積瞭F摻雜的氧化錫薄膜,製備低輻射鍍膜玻璃,併在高溫電阻爐和鋼化爐內分彆進行熱處理和鋼化實驗,對不同條件下的電學性能進行瞭研究.採用XPS和AES對薄膜中[O]/[Sn]平均含量的變化進行瞭分析.結果錶明,在650℃之內,錶麵電阻沒有髮生明顯改變,但此後快速上升至86.68Ω□;薄膜O和Sn的含量不符閤化學計量比,[O]/[Sn]比均小于1.20;隨著熱處理溫度的提高和時間的延長,薄膜中O含量有所提高,與錶麵電阻的變化趨勢接近.
채용유궤금속화합물화학기상침적법(MOCVD)재부법파리상침적료F참잡적양화석박막,제비저복사도막파리,병재고온전조로화강화로내분별진행열처리화강화실험,대불동조건하적전학성능진행료연구.채용XPS화AES대박막중[O]/[Sn]평균함량적변화진행료분석.결과표명,재650℃지내,표면전조몰유발생명현개변,단차후쾌속상승지86.68Ω□;박막O화Sn적함량불부합화학계량비,[O]/[Sn]비균소우1.20;수착열처리온도적제고화시간적연장,박막중O함량유소제고,여표면전조적변화추세접근.