稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2012年
12期
2118-2122
,共5页
崔教林%张晓军%李奕沄%高榆岚
崔教林%張曉軍%李奕沄%高榆嵐
최교림%장효군%리혁운%고유람
α-In2Se3基半导体%禁带宽度(Eg)%热电性能
α-In2Se3基半導體%禁帶寬度(Eg)%熱電性能
α-In2Se3기반도체%금대관도(Eg)%열전성능
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料.但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32 eV减小到1.14 eV.掺杂后电学性能得到了大幅度的改善.最大功率因子由0.76×10-4增大到2.8×10-4 W·m-1·K-2；最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63.高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织.在温度高于500 K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系.
α-In2Se3是一類A2ⅢB3Ⅳ型寬帶隙半導體材料.但在α-In2Se3化閤物中共摻雜適量的Cu,Te後髮現禁帶寬度(Eg)變窄,Eg值由本徵態時的1.32 eV減小到1.14 eV.摻雜後電學性能得到瞭大幅度的改善.最大功率因子由0.76×10-4增大到2.8×10-4 W·m-1·K-2；最大熱電優值(ZT)從本徵態時的0.25提高到0.63.高分辨電鏡(HRTEM)觀察結果錶明,在未摻雜時,α-In2Se3呈現非晶狀組織,共摻雜Cu,Te後,微結構則轉變成明顯的多晶組織.在溫度高于500 K時,摻雜後晶格熱導率的適量提高與該微結構轉變有直接聯繫.
α-In2Se3시일류A2ⅢB3Ⅳ형관대극반도체재료.단재α-In2Se3화합물중공참잡괄량적Cu,Te후발현금대관도(Eg)변착,Eg치유본정태시적1.32 eV감소도1.14 eV.참잡후전학성능득도료대폭도적개선.최대공솔인자유0.76×10-4증대도2.8×10-4 W·m-1·K-2；최대열전우치(ZT)종본정태시적0.25제고도0.63.고분변전경(HRTEM)관찰결과표명,재미참잡시,α-In2Se3정현비정상조직,공참잡Cu,Te후,미결구칙전변성명현적다정조직.재온도고우500 K시,참잡후정격열도솔적괄량제고여해미결구전변유직접련계.
