现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2013年
13期
154-156,159
,共4页
李先仓%张流强%蒋树庆%肖海军%赵军
李先倉%張流彊%蔣樹慶%肖海軍%趙軍
리선창%장류강%장수경%초해군%조군
传输线%特征阻抗%拉普拉斯变换%时域%复频域
傳輸線%特徵阻抗%拉普拉斯變換%時域%複頻域
전수선%특정조항%랍보랍사변환%시역%복빈역
transmission line%characteristic impedance%Laplace transform%time domain%multiplex frequency domain
提出了一种脉冲成形和脉冲展宽的方法,在基于理想开关的纳秒脉冲成形电路基础上,使用MOS管代替理想开关,保证MOS管工作在饱和区实现了脉冲成形,分析了MOS开关进入饱和区后在不改变传输线延迟时间的情况下,改变电源电压可以实现脉冲展宽,并通过实验验证了仿真获得的结果。
提齣瞭一種脈遲成形和脈遲展寬的方法,在基于理想開關的納秒脈遲成形電路基礎上,使用MOS管代替理想開關,保證MOS管工作在飽和區實現瞭脈遲成形,分析瞭MOS開關進入飽和區後在不改變傳輸線延遲時間的情況下,改變電源電壓可以實現脈遲展寬,併通過實驗驗證瞭倣真穫得的結果。
제출료일충맥충성형화맥충전관적방법,재기우이상개관적납초맥충성형전로기출상,사용MOS관대체이상개관,보증MOS관공작재포화구실현료맥충성형,분석료MOS개관진입포화구후재불개변전수선연지시간적정황하,개변전원전압가이실현맥충전관,병통과실험험증료방진획득적결과。
A method of pulse shaping and pulse broadening is proposed. Base on the nanosecond pulse shaping circuit of ideal switch,the MOS transistor is used to replace ideal switch,in order to ensure the MOS transistor operating in the satura?tion region and realize the pulse shaping. When the MOS switch is in saturation region,pulse broadening can be achieved with changing power supply voltage,but without changing the delay time of transmission line. The results are verified by experiments.