广西大学学报（自然科学版）
廣西大學學報（自然科學版）
엄서대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF GUANGXI UNIVERSITY （NATURAL SCIENCE EDITION）
2014年
2期
431-435
,共5页
陈真英%聂鹏%莫玉学%孙小香%熊超%黄宇阳%邓文
陳真英%聶鵬%莫玉學%孫小香%熊超%黃宇暘%鄧文
진진영%섭붕%막옥학%손소향%웅초%황우양%산문
ZnO基压敏电阻%CuO掺杂%缺陷%电子密度%电性能
ZnO基壓敏電阻%CuO摻雜%缺陷%電子密度%電性能
ZnO기압민전조%CuO참잡%결함%전자밀도%전성능
ZnO-based varistor%CuO dopant%defects%electron density%electrical properties
为研究CuO掺杂对ZnO基压敏陶瓷中的电子密度和电性能的影响,以固相反应法制备了CuO掺杂的ZnO Bi2 O3 Sb2 O3 Co2 O3 MnO2 Cr2 O3基压敏陶瓷,测量了其正电子湮没寿命谱及电性能,结果表明,随着CuO含量的增加,ZnO基压敏陶瓷基体(晶粒内部)和晶界缺陷态的自由电子密度降低,导致其压敏电压V1mA和漏电流I L升高,非线性系数a减小。CuO含量为1.0%的ZnO基压敏电阻可用于220 V交流电路的过压保护。
為研究CuO摻雜對ZnO基壓敏陶瓷中的電子密度和電性能的影響,以固相反應法製備瞭CuO摻雜的ZnO Bi2 O3 Sb2 O3 Co2 O3 MnO2 Cr2 O3基壓敏陶瓷,測量瞭其正電子湮沒壽命譜及電性能,結果錶明,隨著CuO含量的增加,ZnO基壓敏陶瓷基體(晶粒內部)和晶界缺陷態的自由電子密度降低,導緻其壓敏電壓V1mA和漏電流I L升高,非線性繫數a減小。CuO含量為1.0%的ZnO基壓敏電阻可用于220 V交流電路的過壓保護。
위연구CuO참잡대ZnO기압민도자중적전자밀도화전성능적영향,이고상반응법제비료CuO참잡적ZnO Bi2 O3 Sb2 O3 Co2 O3 MnO2 Cr2 O3기압민도자,측량료기정전자인몰수명보급전성능,결과표명,수착CuO함량적증가,ZnO기압민도자기체(정립내부)화정계결함태적자유전자밀도강저,도치기압민전압V1mA화루전류I L승고,비선성계수a감소。CuO함량위1.0%적ZnO기압민전조가용우220 V교류전로적과압보호。
In order to study the effects of CuO dopant on electron density and electrical properties of ZnO-based varistor ceramics, the CuO doped ZnO Bi2 O3 Sb2 O3 Co2 O3 MnO2 Cr2 O3 varistor ceramics were prepared by means of the solid state reaction method, and the positron lifetime spectra and electrical properties of the varistor ceramics were measured. The experimental results show that the electron densities in the bulk and on the grain boundaries decrease with the CuO content in the ZnO-based varistor increasing, resulting in the increase of threshold voltage ( V1mA ) and leakage cur-rent (IL) , and the decrease of nonlinear coefficient (a) of the ZnO-based ceramics. The ZnO-based varistor ceramic with 1.0% CuO can be used to the overvoltage protection in a 220 V AC source circuit.
