吉林大学学报（理学版）
吉林大學學報（理學版）
길림대학학보（이학판）
JOURNAL OF JILIN UNIVERSITY(SCIENCE EDITION)
2012年
6期
1247-1251
,共5页
沈春生%吴国光%高福斌%马艳%杜国同%李万程
瀋春生%吳國光%高福斌%馬豔%杜國同%李萬程
침춘생%오국광%고복빈%마염%두국동%리만정
分子束外延%氮化铟%碳化硅%光电子能谱%X射线衍射%光致发光
分子束外延%氮化銦%碳化硅%光電子能譜%X射線衍射%光緻髮光
분자속외연%담화인%탄화규%광전자능보%X사선연사%광치발광
采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在6H-SiC衬底上制备纤锌矿结构的氮化铟(InN)薄膜.利用原位X射线光电子能谱测试确定了InN的修正俄歇参数α’=852.76 eV和Wagner图,InN的铟氮质量比为1.19;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明,外延InN为网状结构,表面无铟滴；X射线衍射测试表明,薄膜为单一c轴择优取向生长,其摇摆曲线半高宽为32.6弧分；室温光致发光峰中心位于1575 nm处.
採用射頻等離子體輔助分子束外延(RF-MBE)方法在6H-SiC襯底上製備纖鋅礦結構的氮化銦(InN)薄膜.利用原位X射線光電子能譜測試確定瞭InN的脩正俄歇參數α’=852.76 eV和Wagner圖,InN的銦氮質量比為1.19;掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡測試錶明,外延InN為網狀結構,錶麵無銦滴；X射線衍射測試錶明,薄膜為單一c軸擇優取嚮生長,其搖襬麯線半高寬為32.6弧分；室溫光緻髮光峰中心位于1575 nm處.
채용사빈등리자체보조분자속외연(RF-MBE)방법재6H-SiC츤저상제비섬자광결구적담화인(InN)박막.이용원위X사선광전자능보측시학정료InN적수정아헐삼수α’=852.76 eV화Wagner도,InN적인담질량비위1.19;소묘전자현미경화원자력현미경측시표명,외연InN위망상결구,표면무인적；X사선연사측시표명,박막위단일c축택우취향생장,기요파곡선반고관위32.6호분；실온광치발광봉중심위우1575 nm처.
