材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2013年
22期
134-137,146
,共5页
杨靖%王亚莉%李保松%李悦
楊靖%王亞莉%李保鬆%李悅
양정%왕아리%리보송%리열
二氧化硅膜%改性%表面自由能%疏水性
二氧化硅膜%改性%錶麵自由能%疏水性
이양화규막%개성%표면자유능%소수성
silica film%modification%surface free energy%hydrophobicity
以甲基三乙氧基硅烷(MTES)替代部分正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备甲基化改性SiO2膜.用几种已知表面张力的液体测定接触角,分别根据Owens二液法、扩展的Fowkes式以及van OssChaudhury-Good理论等方法求解了不同MTES与TEOS比例SiO2膜的表面自由能及其分量.结果表明,当n (MTES)/n (TEOS)≥0.8时,SiO2膜表面疏水性较好;3种方法计算所得SiO2膜表面自由能的变化规律相同,数值相差不大;随着MTES与TEOS物质的量比的增大,SiO2膜的表面自由能减小,膜表面疏水性的增加主要来自极性分量的贡献.根据van Oss-Chaudhury-Good理论求算出的极性分量比例较其余两种方法稍小.
以甲基三乙氧基硅烷(MTES)替代部分正硅痠乙酯(TEOS)作為前驅物,採用溶膠-凝膠法製備甲基化改性SiO2膜.用幾種已知錶麵張力的液體測定接觸角,分彆根據Owens二液法、擴展的Fowkes式以及van OssChaudhury-Good理論等方法求解瞭不同MTES與TEOS比例SiO2膜的錶麵自由能及其分量.結果錶明,噹n (MTES)/n (TEOS)≥0.8時,SiO2膜錶麵疏水性較好;3種方法計算所得SiO2膜錶麵自由能的變化規律相同,數值相差不大;隨著MTES與TEOS物質的量比的增大,SiO2膜的錶麵自由能減小,膜錶麵疏水性的增加主要來自極性分量的貢獻.根據van Oss-Chaudhury-Good理論求算齣的極性分量比例較其餘兩種方法稍小.
이갑기삼을양기규완(MTES)체대부분정규산을지(TEOS)작위전구물,채용용효-응효법제비갑기화개성SiO2막.용궤충이지표면장력적액체측정접촉각,분별근거Owens이액법、확전적Fowkes식이급van OssChaudhury-Good이론등방법구해료불동MTES여TEOS비례SiO2막적표면자유능급기분량.결과표명,당n (MTES)/n (TEOS)≥0.8시,SiO2막표면소수성교호;3충방법계산소득SiO2막표면자유능적변화규률상동,수치상차불대;수착MTES여TEOS물질적량비적증대,SiO2막적표면자유능감소,막표면소수성적증가주요래자겁성분량적공헌.근거van Oss-Chaudhury-Good이론구산출적겁성분량비례교기여량충방법초소.
