真空
真空
진공
VACUUM
2012年
6期
39-43
,共5页
CuInS2薄膜%单源共蒸发%热处理%特性分析
CuInS2薄膜%單源共蒸髮%熱處理%特性分析
CuInS2박막%단원공증발%열처리%특성분석
将单质Cu、In和S粉末按一定比例均匀混合,单源共蒸发沉积CuInS2薄膜.氮气保护对薄膜进行热处理.研究不同热处理条件对薄膜表面形貌、化学组分及电学特性的影响.XRD分析给出直接沉积的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,整体性能较差.经400℃、20 min热处理后,CuInS2薄膜特性得到明显的改善,导电类型呈P型,体内元素化学计量比Cu:In:S=1:0.9:1.5接近标准值,Cu含量略多,电阻率为4.8× 10-2 Ω·cm,薄膜的直接光学带隙1.42 eV,光吸收系数105 cm-1.440℃、10 min热处理的薄膜,晶相结构没变但导电类型转为N型,元素化学计量比Cu:In:S=1:2.3:0.8,In元素过量,电阻率为1.3×10-2 Ω ·cm,光吸收系数104 cm-1,直接光学带隙1.39 eV.
將單質Cu、In和S粉末按一定比例均勻混閤,單源共蒸髮沉積CuInS2薄膜.氮氣保護對薄膜進行熱處理.研究不同熱處理條件對薄膜錶麵形貌、化學組分及電學特性的影響.XRD分析給齣直接沉積的CuInS2薄膜為黃銅礦結構,整體性能較差.經400℃、20 min熱處理後,CuInS2薄膜特性得到明顯的改善,導電類型呈P型,體內元素化學計量比Cu:In:S=1:0.9:1.5接近標準值,Cu含量略多,電阻率為4.8× 10-2 Ω·cm,薄膜的直接光學帶隙1.42 eV,光吸收繫數105 cm-1.440℃、10 min熱處理的薄膜,晶相結構沒變但導電類型轉為N型,元素化學計量比Cu:In:S=1:2.3:0.8,In元素過量,電阻率為1.3×10-2 Ω ·cm,光吸收繫數104 cm-1,直接光學帶隙1.39 eV.
장단질Cu、In화S분말안일정비례균균혼합,단원공증발침적CuInS2박막.담기보호대박막진행열처리.연구불동열처리조건대박막표면형모、화학조분급전학특성적영향.XRD분석급출직접침적적CuInS2박막위황동광결구,정체성능교차.경400℃、20 min열처리후,CuInS2박막특성득도명현적개선,도전류형정P형,체내원소화학계량비Cu:In:S=1:0.9:1.5접근표준치,Cu함량략다,전조솔위4.8× 10-2 Ω·cm,박막적직접광학대극1.42 eV,광흡수계수105 cm-1.440℃、10 min열처리적박막,정상결구몰변단도전류형전위N형,원소화학계량비Cu:In:S=1:2.3:0.8,In원소과량,전조솔위1.3×10-2 Ω ·cm,광흡수계수104 cm-1,직접광학대극1.39 eV.
