西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2012年
5期
186-191
,共6页
戴显英%郑若川%郭静静%张鹤鸣%郝跃%邵晨峰%吉瑶%杨程
戴顯英%鄭若川%郭靜靜%張鶴鳴%郝躍%邵晨峰%吉瑤%楊程
대현영%정약천%곽정정%장학명%학약%소신봉%길요%양정
弛豫锗硅%减压化学气相淀积%计算流体动力学模型%密度分布
弛豫鍺硅%減壓化學氣相澱積%計算流體動力學模型%密度分佈
이예타규%감압화학기상정적%계산류체동역학모형%밀도분포
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50 L/min、压强为2666.44 Pa、基座转速为35 r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性.
基于SiGe材料化學氣相澱積(CVD)生長原理,針對減壓化學氣相澱積(RPCVD)繫統,建立瞭弛豫鍺硅RPCVD的計算流體動力學倣真模型及相應的流體模型,採用Fluent軟件對流量、壓彊、基座轉速等工藝參數對反應室中氣體密度場和速度場的影響進行瞭模擬倣真及分析.模擬結果錶明,流量為50 L/min、壓彊為2666.44 Pa、基座轉速為35 r/min時,基座上方流場的均勻性最佳.採用倣真優化的工藝條件進行瞭弛豫SiGe的RPCVD實驗,其SiGe薄膜厚度分佈實驗結果與弛豫SiGe前驅體SiH2Cl2的Fluent濃度分佈模擬結果一緻,驗證瞭該模型的正確性.
기우SiGe재료화학기상정적(CVD)생장원리,침대감압화학기상정적(RPCVD)계통,건립료이예타규RPCVD적계산류체동역학방진모형급상응적류체모형,채용Fluent연건대류량、압강、기좌전속등공예삼수대반응실중기체밀도장화속도장적영향진행료모의방진급분석.모의결과표명,류량위50 L/min、압강위2666.44 Pa、기좌전속위35 r/min시,기좌상방류장적균균성최가.채용방진우화적공예조건진행료이예SiGe적RPCVD실험,기SiGe박막후도분포실험결과여이예SiGe전구체SiH2Cl2적Fluent농도분포모의결과일치,험증료해모형적정학성.
