固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
6期
561-564
,共4页
梁海莲%董树荣%顾晓峰%韩雁
樑海蓮%董樹榮%顧曉峰%韓雁
량해련%동수영%고효봉%한안
静电放电%低噪声放大器%可控硅%寄生电容%噪声系数
靜電放電%低譟聲放大器%可控硅%寄生電容%譟聲繫數
정전방전%저조성방대기%가공규%기생전용%조성계수
设计并流片验证了一种0.18μm RF CMOS工艺的2.4 GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案.对于射频(RF) I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能.对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS_SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度.基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16 dB的噪声系数和176 fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6 kV；电源口采用了RCMOS_SCR,实现了5 kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用.
設計併流片驗證瞭一種0.18μm RF CMOS工藝的2.4 GHz低譟聲放大器的全芯片靜電放電(ESD)保護方案.對于射頻(RF) I/O口的ESD防護,主要對比瞭二極管、可控硅(SCR)以及不同版圖的互補型SCR,經流片與測試,髮現島嶼狀互補型SCR對I/O耑口具有很好的ESD防護綜閤性能.對于電源口的ESD防護,主要研究瞭不同觸髮方式的ESD保護結構,結果錶明,RCMOS觸髮SCR結構(RCMOS_SCR)具有良好的ESD魯棒性和開啟速度.基于上述結構的全芯片ESD保護設計,RF I/O口採用島嶼狀佈跼的互補SCR結構的ESD防護設計,該ESD防護電路引入0.16 dB的譟聲繫數和176 fF的寄生電容,在人體模型(HBM)下防護能力可達6 kV；電源口採用瞭RCMOS_SCR,實現瞭5 kV HBM的ESD保護能力,該設計方案已經在有關企業得到應用.
설계병류편험증료일충0.18μm RF CMOS공예적2.4 GHz저조성방대기적전심편정전방전(ESD)보호방안.대우사빈(RF) I/O구적ESD방호,주요대비료이겁관、가공규(SCR)이급불동판도적호보형SCR,경류편여측시,발현도서상호보형SCR대I/O단구구유흔호적ESD방호종합성능.대우전원구적ESD방호,주요연구료불동촉발방식적ESD보호결구,결과표명,RCMOS촉발SCR결구(RCMOS_SCR)구유량호적ESD로봉성화개계속도.기우상술결구적전심편ESD보호설계,RF I/O구채용도서상포국적호보SCR결구적ESD방호설계,해ESD방호전로인입0.16 dB적조성계수화176 fF적기생전용,재인체모형(HBM)하방호능력가체6 kV；전원구채용료RCMOS_SCR,실현료5 kV HBM적ESD보호능력,해설계방안이경재유관기업득도응용.
