东南大学学报（自然科学版）
東南大學學報（自然科學版）
동남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY
2012年
6期
1052-1057
,共6页
常昌远%王绍权%陈瑶%余东升
常昌遠%王紹權%陳瑤%餘東升
상창원%왕소권%진요%여동승
LC压控振荡器%相位噪声%开关电容阵列%CMOS
LC壓控振盪器%相位譟聲%開關電容陣列%CMOS
LC압공진탕기%상위조성%개관전용진렬%CMOS
基于TSMC 0.35 μm CMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器中的低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电容阵列和偏置滤波网络来降低相位噪声.采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺完成前仿真、版图设计与后仿真,芯片面积为1 285.3 μm×1 162.7 μm.流片测试结果显示,LC压控振荡器的频率调谐范围为1.558 ～2.065 GHz,调谐范围高达28％,中心频率处的相位噪声为-133.3 dBc/Hz@1 MHz,综合性能指数为-183.3 dBc/Hz.由此表明,所设计的压控振荡器具有比较优异的综合性能.
基于TSMC 0.35 μm CMOS工藝,設計併實現瞭一種用于鎖相環(PLL)頻率閤成器中的低相位譟聲LC壓控振盪器.這種壓控振盪器採用互補交扠耦閤差分結構,利用開關電容陣列技術增大頻率調諧範圍,併結閤大濾波電容、二次諧波諧振濾波網絡、開關電容陣列和偏置濾波網絡來降低相位譟聲.採用TSMC 0.35 μm CMOS工藝完成前倣真、版圖設計與後倣真,芯片麵積為1 285.3 μm×1 162.7 μm.流片測試結果顯示,LC壓控振盪器的頻率調諧範圍為1.558 ～2.065 GHz,調諧範圍高達28％,中心頻率處的相位譟聲為-133.3 dBc/Hz@1 MHz,綜閤性能指數為-183.3 dBc/Hz.由此錶明,所設計的壓控振盪器具有比較優異的綜閤性能.
기우TSMC 0.35 μm CMOS공예,설계병실현료일충용우쇄상배(PLL)빈솔합성기중적저상위조성LC압공진탕기.저충압공진탕기채용호보교차우합차분결구,이용개관전용진렬기술증대빈솔조해범위,병결합대려파전용、이차해파해진려파망락、개관전용진렬화편치려파망락래강저상위조성.채용TSMC 0.35 μm CMOS공예완성전방진、판도설계여후방진,심편면적위1 285.3 μm×1 162.7 μm.류편측시결과현시,LC압공진탕기적빈솔조해범위위1.558 ～2.065 GHz,조해범위고체28％,중심빈솔처적상위조성위-133.3 dBc/Hz@1 MHz,종합성능지수위-183.3 dBc/Hz.유차표명,소설계적압공진탕기구유비교우이적종합성능.
