无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2013年
4期
723-728
,共6页
气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)%AZO薄膜%温度%极性半导体%结晶质量
氣溶膠輔助化學氣相沉積(AACVD)%AZO薄膜%溫度%極性半導體%結晶質量
기용효보조화학기상침적(AACVD)%AZO박막%온도%겁성반도체%결정질량
低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的AI掺杂ZnO薄膜(AZO)制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一.本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构和光、电性能的影响.利用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光谱和光致发光光谱等对样品进行了表征.结果表明:在AACVD法生长AZO薄膜的过程中,衬底温度对AZO薄膜晶面的择优取向生长影响呈起伏式变化.明显的电学性能的转变温度发生在约400℃,光学性能和晶面的择优取向生长变化出现在约450℃.讨论了温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜结构和光、电性能影响的微观机制.400℃时沉积的AZO薄膜方阻190 Ω/口,平均透过率为80％.
低成本、大麵積、沉積速率高、均勻性好、光電性能優良的AI摻雜ZnO薄膜(AZO)製備技術依然是透明導電薄膜領域研究的重點之一.本文採用冷壁式氣溶膠輔助化學氣相沉積(AACVD)技術在玻璃襯底上製備瞭AZO透明導電薄膜,研究瞭襯底溫度對薄膜結構和光、電性能的影響.利用X射線衍射、原子力顯微鏡、紫外-可見光譜和光緻髮光光譜等對樣品進行瞭錶徵.結果錶明:在AACVD法生長AZO薄膜的過程中,襯底溫度對AZO薄膜晶麵的擇優取嚮生長影響呈起伏式變化.明顯的電學性能的轉變溫度髮生在約400℃,光學性能和晶麵的擇優取嚮生長變化齣現在約450℃.討論瞭溫度對AACVD法製備AZO透明導電薄膜結構和光、電性能影響的微觀機製.400℃時沉積的AZO薄膜方阻190 Ω/口,平均透過率為80％.
저성본、대면적、침적속솔고、균균성호、광전성능우량적AI참잡ZnO박막(AZO)제비기술의연시투명도전박막영역연구적중점지일.본문채용랭벽식기용효보조화학기상침적(AACVD)기술재파리츤저상제비료AZO투명도전박막,연구료츤저온도대박막결구화광、전성능적영향.이용X사선연사、원자력현미경、자외-가견광보화광치발광광보등대양품진행료표정.결과표명:재AACVD법생장AZO박막적과정중,츤저온도대AZO박막정면적택우취향생장영향정기복식변화.명현적전학성능적전변온도발생재약400℃,광학성능화정면적택우취향생장변화출현재약450℃.토론료온도대AACVD법제비AZO투명도전박막결구화광、전성능영향적미관궤제.400℃시침적적AZO박막방조190 Ω/구,평균투과솔위80％.
