机电产品开发与创新
機電產品開髮與創新
궤전산품개발여창신
DEVELOPMENT & INNOVATION OF MACHINERY & ELECTRICAL PRODUCTS
2013年
4期
8-10
,共3页
化学机械抛光(CMP)%纳米级抛光%下压力%温度控制
化學機械拋光(CMP)%納米級拋光%下壓力%溫度控製
화학궤계포광(CMP)%납미급포광%하압력%온도공제
化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一可提供在整个晶圆片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域.通过了解化学机械抛光(CMP)技术原理,分析出影响晶片抛光质量的主要因素基础上开发了超精密砷化镓晶片抛光机.重点介绍了该抛光机结构组成,及其研制的关键技术和创新点.
化學機械拋光(CMP)技術作為目前唯一可提供在整箇晶圓片上全麵平坦化的工藝技術,已被越來越廣汎地應用到瞭半導體領域.通過瞭解化學機械拋光(CMP)技術原理,分析齣影響晶片拋光質量的主要因素基礎上開髮瞭超精密砷化鎵晶片拋光機.重點介紹瞭該拋光機結構組成,及其研製的關鍵技術和創新點.
화학궤계포광(CMP)기술작위목전유일가제공재정개정원편상전면평탄화적공예기술,이피월래월엄범지응용도료반도체영역.통과료해화학궤계포광(CMP)기술원리,분석출영향정편포광질량적주요인소기출상개발료초정밀신화가정편포광궤.중점개소료해포광궤결구조성,급기연제적관건기술화창신점.