液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2014年
3期
355-360
,共6页
王守坤%郭总杰%袁剑峰%林承武%邵喜斌
王守坤%郭總傑%袁劍峰%林承武%邵喜斌
왕수곤%곽총걸%원검봉%림승무%소희빈
铟锡氧化物%薄雾不良%边缘场开关薄膜晶体管%等离子体化学气相沉积%氮化硅膜%透过率
銦錫氧化物%薄霧不良%邊緣場開關薄膜晶體管%等離子體化學氣相沉積%氮化硅膜%透過率
인석양화물%박무불량%변연장개관박막정체관%등리자체화학기상침적%담화규막%투과솔
indium-tin-oxide%haze mura%FFS-TFT%PECVD%silicon nitride thin films%transmittance
对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究.通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析.结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题.通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良.
對FFS-TFT製作工藝中,與氮化硅膜層接觸的透明電極ITO髮生的霧狀不良進行分析研究.通過掃描電子顯微鏡、宏觀/微觀顯微鏡和揹光源測試設備對樣品進行分析.結果顯示接觸層的等離子體界麵處理對ITO的透過率和膜質特性有較大影響,可導緻嚴重的霧狀不良髮生和刻蝕工藝中的膜層下耑過度刻蝕的問題.通過在透明電極ITO上麵沉積微薄的過渡緩遲膜層,併優化界麵等離子體處理條件,可以改善霧狀不良.
대FFS-TFT제작공예중,여담화규막층접촉적투명전겁ITO발생적무상불량진행분석연구.통과소묘전자현미경、굉관/미관현미경화배광원측시설비대양품진행분석.결과현시접촉층적등리자체계면처리대ITO적투과솔화막질특성유교대영향,가도치엄중적무상불량발생화각식공예중적막층하단과도각식적문제.통과재투명전겁ITO상면침적미박적과도완충막층,병우화계면등리자체처리조건,가이개선무상불량.
