中国计量学院学报
中國計量學院學報
중국계량학원학보
JOURNAL OF CHINA INSTITUTE OF METROLOGY
2013年
1期
72-76
,共5页
全加器%同或门%互补氧化物半导体
全加器%同或門%互補氧化物半導體
전가기%동혹문%호보양화물반도체
通过对已有全加器电路的研究与分析,提出了仅需8个晶体管的新型全加器单元.新电路包括2个3管同或门模块和1个选择器模块.在台积电(TSMC)0.18 μm互补氧化物半导体(CMOS)工艺器件参数下经电路模拟程序(HSPICE)进行性能测试,与现有典型的全加器相比,新电路在晶体管数目、功耗和功耗延迟积有较大的优势.
通過對已有全加器電路的研究與分析,提齣瞭僅需8箇晶體管的新型全加器單元.新電路包括2箇3管同或門模塊和1箇選擇器模塊.在檯積電(TSMC)0.18 μm互補氧化物半導體(CMOS)工藝器件參數下經電路模擬程序(HSPICE)進行性能測試,與現有典型的全加器相比,新電路在晶體管數目、功耗和功耗延遲積有較大的優勢.
통과대이유전가기전로적연구여분석,제출료부수8개정체관적신형전가기단원.신전로포괄2개3관동혹문모괴화1개선택기모괴.재태적전(TSMC)0.18 μm호보양화물반도체(CMOS)공예기건삼수하경전로모의정서(HSPICE)진행성능측시,여현유전형적전가기상비,신전로재정체관수목、공모화공모연지적유교대적우세.
