激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2013年
5期
664-667
,共4页
测量与计量%结构%光学相干层析成像%微机电系统
測量與計量%結構%光學相榦層析成像%微機電繫統
측량여계량%결구%광학상간층석성상%미궤전계통
measurement and metrology%structure%optical coherence tomography%micro-electromechanical system
为了对硅V型槽的结构进行测量，采用热光源谱域光学相干层析成像法，进行了理论分析和实验验证，取得了硅V型槽的1维深度和2维层析图像，获得了硅V型槽的深度、上部宽度和底部宽度数据分别为145.38μm，212μm和32μm。结果表明，该测量结果与扫描电子显微镜测量值基本一致。这对微机电系统结构测量是有帮助的。
為瞭對硅V型槽的結構進行測量，採用熱光源譜域光學相榦層析成像法，進行瞭理論分析和實驗驗證，取得瞭硅V型槽的1維深度和2維層析圖像，穫得瞭硅V型槽的深度、上部寬度和底部寬度數據分彆為145.38μm，212μm和32μm。結果錶明，該測量結果與掃描電子顯微鏡測量值基本一緻。這對微機電繫統結構測量是有幫助的。
위료대규V형조적결구진행측량，채용열광원보역광학상간층석성상법，진행료이론분석화실험험증，취득료규V형조적1유심도화2유층석도상，획득료규V형조적심도、상부관도화저부관도수거분별위145.38μm，212μm화32μm。결과표명，해측량결과여소묘전자현미경측량치기본일치。저대미궤전계통결구측량시유방조적。
In order to measure the structure of V-shaped silicon grooves , a thermal light spectral-domain optical coherence tomography was introduced .After the theoretical analysis and the experimental verification , 1-D depth image and 2-D cross-sectional image of V-shaped silicon grooves were obtained .Depth of 145.38μm , top width of 212μm and bottom width of 32μm were gotten.The measured data was the same as the measured result of scanning electron microscope .The results are helpful for the measurement of micro-electromechanical system .
