化学工程师
化學工程師
화학공정사
CHEMICAL ENGINEER
2013年
4期
5-7,14
,共4页
银辅助化学刻蚀法%化学刻蚀法%硅纳米线
銀輔助化學刻蝕法%化學刻蝕法%硅納米線
은보조화학각식법%화학각식법%규납미선
本文通过实验发现,硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键.总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺.通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO3的浓度在0.008～0.016mol·L-1范围内,HF浓度从4.0～5.5mo1· L-1范围内可以成功制作出硅纳米线.
本文通過實驗髮現,硅片錶麵的潔淨度和閤適的刻蝕液濃度是成功應用銀輔助化學刻蝕法製作硅納米線的關鍵.總結齣針對該法的一種性能可靠的簡單清洗工藝.通過配製不同濃度的刻蝕液髮現AgNO3的濃度在0.008～0.016mol·L-1範圍內,HF濃度從4.0～5.5mo1· L-1範圍內可以成功製作齣硅納米線.
본문통과실험발현,규편표면적길정도화합괄적각식액농도시성공응용은보조화학각식법제작규납미선적관건.총결출침대해법적일충성능가고적간단청세공예.통과배제불동농도적각식액발현AgNO3적농도재0.008～0.016mol·L-1범위내,HF농도종4.0～5.5mo1· L-1범위내가이성공제작출규납미선.
