华南师范大学学报（自然科学版）
華南師範大學學報（自然科學版）
화남사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY （NATURAL SCIENCE EDITION）
2014年
2期
42-45
,共4页
刘咏梅%赵灵智%姜如青%覃坤南
劉詠梅%趙靈智%薑如青%覃坤南
류영매%조령지%강여청%담곤남
SnS%第一性原理计算%电子结构%光学性质
SnS%第一性原理計算%電子結構%光學性質
SnS%제일성원리계산%전자결구%광학성질
SnS%first-principles calculations%electronic structure%optical properties
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化，对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算．结果显示， SnS是一种直接带隙半导体，计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV．态密度计算表明，SnS是具有一定共价性的离子晶体．当光子能量在0～3.10 eV和大于7.47 eV范围内时，晶体表现为介电性，在3.10～7.47 eV范围内晶体表现为金属性．SnS具有105 cm-1数量级的吸收系数，能强烈地吸收光能．
基于密度汎函理論的第一性原理平麵波超軟贗勢方法，建立瞭SnS超晶胞模型併進行瞭幾何結構優化，對其能帶結構、態密度、電荷密度及光學性質進行瞭模擬計算．結果顯示， SnS是一種直接帶隙半導體，計算所得的帶隙值0.503 eV低于實驗值的1.3 eV．態密度計算錶明，SnS是具有一定共價性的離子晶體．噹光子能量在0～3.10 eV和大于7.47 eV範圍內時，晶體錶現為介電性，在3.10～7.47 eV範圍內晶體錶現為金屬性．SnS具有105 cm-1數量級的吸收繫數，能彊烈地吸收光能．
기우밀도범함이론적제일성원리평면파초연안세방법，건립료SnS초정포모형병진행료궤하결구우화，대기능대결구、태밀도、전하밀도급광학성질진행료모의계산．결과현시， SnS시일충직접대극반도체，계산소득적대극치0.503 eV저우실험치적1.3 eV．태밀도계산표명，SnS시구유일정공개성적리자정체．당광자능량재0～3.10 eV화대우7.47 eV범위내시，정체표현위개전성，재3.10～7.47 eV범위내정체표현위금속성．SnS구유105 cm-1수량급적흡수계수，능강렬지흡수광능．
Based on the first principles calculation of plane wave ultra-soft pseudo-potential technology , the SnS su-percell model was established , its geometry structure was optimized , and the band structure , density of states , charge density and optical properties were obtained .The results show that the SnS is a direct gap semiconductor , and the calculated value of the band gap is lower than the experimental value of 1.3 eV.From the PDOS, the SnS is covalent crystal with a certain ionic bond .When the photon energy about 0~3.10 eV and greater than 7.47 eV, the crystal performance is dielectric character .But it shows the metallic character in the range of 3.10~7.47 eV. The SnS has a strongly absorption capacity of light energy , the absorption coefficient reached to 105 cm-1 .
