深圳大学学报（理工版）
深圳大學學報（理工版）
심수대학학보（리공판）
JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING)
2012年
6期
487-491
,共5页
武红磊%郑瑞生%闫征%李萌萌%郑伟
武紅磊%鄭瑞生%閆徵%李萌萌%鄭偉
무홍뢰%정서생%염정%리맹맹%정위
半导体材料%氮化铝%升华法%非极化%温度场%晶体生长
半導體材料%氮化鋁%升華法%非極化%溫度場%晶體生長
반도체재료%담화려%승화법%비겁화%온도장%정체생장
研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面；反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面为m面.同时,生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量.在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中,通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场,实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备,并对样品进行测试分析.
研究升華法製備氮化鋁晶體過程中,生長區域溫度場分佈對晶體生長習性的影響.結果錶明,噹升華區與結晶區之間的溫差較大時,氮化鋁晶體的生長方嚮為c軸方嚮,顯露麵為c麵；反之,溫差較小時,氮化鋁晶體的生長方嚮為與c軸垂直的a軸方嚮,顯露麵為m麵.同時,生長區域溫度場分佈還影響晶體的生長呎吋和質量.在自行設計的雙區電阻加熱晶體生長裝置中,通過精確控製升華區與結晶區之間的溫度場,實現釐米級m麵非極性氮化鋁單晶體的製備,併對樣品進行測試分析.
연구승화법제비담화려정체과정중,생장구역온도장분포대정체생장습성적영향.결과표명,당승화구여결정구지간적온차교대시,담화려정체적생장방향위c축방향,현로면위c면；반지,온차교소시,담화려정체적생장방향위여c축수직적a축방향,현로면위m면.동시,생장구역온도장분포환영향정체적생장척촌화질량.재자행설계적쌍구전조가열정체생장장치중,통과정학공제승화구여결정구지간적온도장,실현전미급m면비겁성담화려단정체적제비,병대양품진행측시분석.
